Název:
Scanning Low Energy Electron Microscopy of Doped Silicon at Units of EV
Překlad názvu:
Zobrazení dopovaného křemíku na velmi nízkých energiích pomocí rastrovacího elektronového mikroskopu
Autoři:
Hovorka, Miloš ; Mikmeková, Šárka ; Frank, Luděk Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /11./, Skalský dvůr (CZ), 2008-07-14 / 2008-07-18
Rok:
2008
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] Scanning low energy electron microscope equipped with cathode lens was employed in observation of differently doped areas in silicon imaged at units of eV. The phenomena connected with injected charge, contamination and modulation of electron reflectivity are discussed.Rastrovací elektronový mikroskop vybavený katodovou čočkou byl použit pro studium křemíku s různě dopovanými oblastmi, které byly zobrazeny na velmi nízkých energiích (jednotky eV). Jsou diskutovány jevy související s injektovaným nábojem, kontaminací a modulací reflektivity signálních elektronů.
Klíčová slova:
dopant; silicon; SLEEM Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP), IAA100650803 (CEP) Poskytovatel projektu: GA AV ČR Zdrojový dokument: Proceedings of the 11th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation, ISBN 978-80-254-0905-3
Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0165651