|
Reliability of WBG Transistors
Horký, Jan
Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) transistors have the potential to revolutionize power electronics industry. They have better resistance, size, and efficiency than current Silicon (Si) transistors. On the other hand, as Silicon FET has been used for several decades, its reliability and robustness has been well known and documented. The aim of this paper is to present a review of reliability and radiation issues of GaN and SiC transistors in order to mitigate potential issues in future designs.
|
|
Měnič napětí řízený mikroprocesorem
Jedlinský, Lukáš ; Patočka, Miroslav (oponent) ; Huták, Petr (vedoucí práce)
V této bakalářské práci je řešeno napájení přenosného počítače z automobilové sítě. Hlavní myšlenkou je použití napěťově zvyšujícího stejnosměrného měniče s vysokou pracovní frekvenci. K regulaci a ovládání zdroje bude použit mikroprocesor řady AT Tiny. Bude také proveden návrh programového vybavení a jeho implementace do integrovaného obvodu i návrh desky plošných spojů a samotná realizace tohoto obvodu.
|
|
Zesilovač ve třídě D 2x 2 kW se spínaným napájecím zdrojem
Tylich, Ondřej ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Martiš, Jan (vedoucí práce)
Obsahem práce je kompletní návrh zesilovače pracujícího ve třídě D včetně teoretického rozboru. V práci jsou popsány funkce jednotlivých funkčních bloků zesilovače. Je vybrána vhodná topologie zesilovače ve třídě D pro danou aplikaci. Návrh zesilovače musí korespondovat s požadovaným výkonem 2x 2 kW do 4 . Jsou provedeny potřebné výpočty pro zajištění správné funkce zesilovače. Pro spolehlivost je potřeba vybrat vhodné koncové tranzistory. V práci je proveden teoretický rozbor napájecích zdrojů. Následně je navrhnut zdroj s vhodnou topologií, který bude určen pro napájení zesilovače ve třídě D. Jsou vypočteny všechny potřebné parametry, zejména tedy silových částí. V práci je řešen návrh a kompletní realizace celého zesilovače počínaje návrhem DPS a jejich výrobou, následným osazením a oživením. Po zajištění funkce všech částí zesilovače jsou provedena různá měření.
|
|
Grafenové struktury vhodné pro polem řízené tranzistory
Kurfürstová, Markéta ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou grafenových struktur vhodných pro tranzistory řízené elektrickým polem. V první části je charakterizován grafen z hlediska jeho vlastností a metod přípravy. V části druhé je shrnuta polovodičová technika se zaměřením na tranzistory s grafenovou vrstvou. Následuje popis metody elektronové litografie, která byla použita při výrobě struktur. Na závěr je popsán experimentální postup přípravy grafenových struktur.
|
|
Analog nonlinear function structures for educational laboratory purposes
Filko, Patrik ; Dvořák, Radek (oponent) ; Šotner, Roman (vedoucí práce)
This master’s thesis deals with the design and the realization of a laboratory teaching device, which includes two-port parts with nonlinear transmission characteristics corresponding to quadratic, inverse quadratic and cubic functions. It also includes a more complicated design of a polynomial function converter that offers students a practical view of functions mathematically designed while verifying their accuracy in laboratory exercises. The whole concept is supported by the design of the power supply circuit and the harmonic signal generator. The individual features of this project are feasible from components commercially available.
|
|
Laboratorní zdroj 0-100 V / 0-100 mA
Hanzl, Ondřej ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Martiš, Jan (vedoucí práce)
Práce se zabývá návrhem a realizací laboratorního zdroje netypických parametrů napěťového rozsahu 0 – 100 V a proudového 0 – 100 mA, který bude sloužit pro testování LED diod, měření závěrného napětí a charakteristik Zenerových diod neznámých údajů. Zdroj bude pracovat v lineárním režimu, kde koncový stupeň tvoří výkonový unipolární tranzistor ovládaný řízeným bipolárním tranzistorem. Regulační část řídící tento koncový stupeň tvoří uzavřená regulační smyčka se dvěma PI regulátory, diferenčním zesilovačem a řízeným omezovačem. V regulačním obvodu jsou regulátory řazeny v kaskádní struktuře, kde napěťový regulátor je nadřazený proudovému. Napájení zdroje zajišťují 2 transformátory, z nichž jeden slouží pro silovou část a druhý pro řídící část. Veškeré navržené a sestavené komponenty budou následně umístěny do krabičky opatřené digitálním měřicím přístrojem s displejem.
|
|
Svářečka pro obloukové svařovaní se spínaným zdrojem
Vaculík, Josef ; Klíma, Bohumil (oponent) ; Červinka, Dalibor (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá objasněním principu činnosti pulsního zdroje svářecího proudu. Vysvětluje činnost použitého jednočinného propustného měniče a uvádí i příklady jiných typů měničů. Úkolem je navrhnout jednotlivé konstrukční části zdroje, tedy vstupní filtr, impulsní transformátor, výstupní tlumivku a výkonové polovodičové prvky. Nutnou součástí jsou samozřejmě také regulační obvody měniče, pomocný zdroj a budící obvody tranzistorů . Pokud bude vše v pořádku, bude vytvořen prototyp zdroje, který bude dále měřen a výsledky porovnávány s teoretickými předpoklady.
|
|
Studium elektrických vlastností tranzistorů na bázi iontových kapalin
Blahut, Jan ; Pospíšil, Jan (oponent) ; Zmeškal, Oldřich (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na přípravu organických elektrochemických tranzistorů a následnou charakterizaci elektrických vlastností takovýchto systémů. Pro přípravu byly využity dva typy elektrodových systémů – skleněné substráty s napařeným oxidem india a cínu a substráty z polymléčné kyseliny s příměsí uhlíkových sazí. Pro tvorbu PEDOTového kanálu byly otestovány tři metody. Materiálový tisk, rotační nanášení vrstev a manuální nanášení. Z měření vyplynulo, že napětí přikládané na řídící elektrodu nemá vliv na spínání tranzistoru. Hlavní roli zde hraje velikost a polarita proudu procházejícího zdrojovou a odtokovou elektrodou.
|
|
Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET
Vitek, Vojtech ; Vorel, Pavel (oponent) ; Procházka, Petr (vedoucí práce)
Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .
|
|
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
|