host ::
| Hlavní stránka > Konferenční materiály > Příspěvky z konference > Reliability of WBG Transistors |
Název:
Reliability of WBG Transistors
Autoři: Horký, Jan
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) transistors have the potential to revolutionize power electronics industry. They have better resistance, size, and efficiency than current Silicon (Si) transistors. On the other hand, as Silicon FET has been used for several decades, its reliability and robustness has been well known and documented. The aim of this paper is to present a review of reliability and radiation issues of GaN and SiC transistors in order to mitigate potential issues in future designs.
Klíčová slova: Bandgap; GaN; HEMT; Radiation; Reliability; Robustness; Si; SiC; Transistor
Zdrojový dokument: Proceedings I of the 30st Conference STUDENT EEICT 2024: General papers, ISBN 978-80-214-6231-1, ISSN 2788-1334
Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: https://hdl.handle.net/11012/249248
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-622566
Autoři: Horký, Jan
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) transistors have the potential to revolutionize power electronics industry. They have better resistance, size, and efficiency than current Silicon (Si) transistors. On the other hand, as Silicon FET has been used for several decades, its reliability and robustness has been well known and documented. The aim of this paper is to present a review of reliability and radiation issues of GaN and SiC transistors in order to mitigate potential issues in future designs.
Klíčová slova: Bandgap; GaN; HEMT; Radiation; Reliability; Robustness; Si; SiC; Transistor
Zdrojový dokument: Proceedings I of the 30st Conference STUDENT EEICT 2024: General papers, ISBN 978-80-214-6231-1, ISSN 2788-1334
Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: https://hdl.handle.net/11012/249248
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-622566
Záznam vytvořen dne 2024-07-21, naposledy upraven 2024-07-21.