Název: EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs
Autoři: Nohavica, Dušan ; Grym, Jan ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Gladkov, Petar ; Jarchovský, Zdeněk
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2010. International Conference /2./, Olomouc (CZ), 2010-10-12 / 2010-10-14
Rok: 2010
Jazyk: eng
Abstrakt: Structural and optical properties of micro and nano-porous InP and GaAs substrates used for an epitaxial overgrowth of thin films were investigated. Both crystalographically oriented (CO) and current line oriented (CLO) pore networks were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650oC and GaAs pores at 750-850oC converted them into microcavities The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films on the porous InP, was also demonstrated by LPE growth of InP and InAs and GaInAs on GaAs by MOVPE technology.
Klíčová slova: A3B5; heteroepitaxy; micropores
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20670512 (CEP), CEZ:AV0Z10100521 (CEP)
Zdrojový dokument: CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010, ISBN 978-80-87294-19-2

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0194679

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-85965


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference