Název: Vývoj a aplikace UHV zařízení pro depozice tenkých vrstev (Atomární a iontové svazkové systémy)
Překlad názvu: Development and Application of an UHV Equipment for Deposition of Thin Films (Atomic and Ion Systems)
Autoři: Mach, Jindřich ; Čech, Vladimír (oponent) ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Disertační práce
Rok: 2010
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
V disertační práci je popsán vývoj dvou zařízení pro přípravu ultratenkých vrstev v UHV (ultravysoké vakuum) podmínkách. Je zde stručně popsána teorie atomárních svazků a dále pak podrobněji konstrukce uvedených zdrojů. V první části je popsána konstrukce termálního atomárního zdroje navrženého pro formování svazků atomů kyslíku nebo vodí-ku. Dále je uveden návrh a konstrukce iontově-atomárního zdroje pro depozici s asistencí iontových svazků. Zařízení kombinuje principy efuzní cely s elektronově srážkovým ionto-vým zdrojem generující ionty o energii iontů (30-100 eV). Zdroj byl uspěšně užit pro de-pozici GaN vrstev na Si(111) 7x7 za pokojové teploty. In the thesis the development of two equipment for preparation of ultrathin films under ultrahign vacuum conditions (UHV) is discussed. Here, additionally to a brief description of theoretical principles, more details on the design of these units are given. In the first part the design of a thermal source of oxygen or hydrogen atomic beams is discussed. Further, a design and construction of an ion–atomic beam source for ion-beam assisted deposition of thin films is detailed. The source combines the principles of an efusion cell and electron-impact ion beam source generating ions of (30 – 100) eV energy. The source has been successfully applied for the growth of GaN on the Si(111) 7x7 substrate under room temperature.
Klíčová slova: ATO-MÁRNÍ VODÍK; ATOMÁRNÍ KYSLÍK; ATOMÁRNÍ ZDROJ; GAN; IBAAD; IBAD; IONTOVÝ ZDROJ; IONTOVĚ-ATOMÁRNÍ ZDROJ; MBE; RŮST ULTRA TENKÝCH.; TERMÁL-NÍ SVAZKY ATOMŮ KYSLIKU; TERMÁLNÍ SVAZKY ATOMŮ VODÍKU; ATOMIC SOURCE; GAN; GROWTH OF ULTRATHIN LAYER.; HYDROGEN THERMAL ATOM BEAM; IBAAD; IBAD; ION SOURCE; ION-ATOMIC SOURCE; MBE; THERMAL OXYGEN ATOM BEAM

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/1636

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-608511


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Disertační práce