Název: Analýza modelování neshodností různých modelů tranzistorů ve slabé a silné inverzi
Překlad názvu: Analysis of mismatch modeling for various transistor models in weak and strong inversion
Autoři: Dvořák, Michal ; Kledrowetz, Vilém (oponent) ; Háze, Jiří (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2020
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Cílem práce je simulovat neshodnosti různých modelů tranzistorů a vytvořit metodologii, která umožní co nejpřesněji zhodnotit a porovnat výsledky měření a simulací s teoretickým základem. Výsledkem práce bude zhodnocení přesnosti modelování neshodnosti pro různé modely tranzistoru a porovnání jednotlivých modelů mezi sebou. This work maps mismatch modeling for CMOS transistor in strong and weak inversion region. The goal is to build sufficient theoretical background describing origins of mismatch during manufacturing and its modeling and find suitable methodology, which will enable to compare 7 selected models of transistor, which was simulated.
Klíčová slova: CMOS; inverzní koeficient; model tranzistoru; MOSFET; Neshodnost; odchylka; CMOS; deviation; inversion factor; Mismatch; MOSFET; transistor model

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/190392

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-413540


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce