Název:
Epitaxní růst z kapalné fáze
Překlad názvu:
Liquid phase epitaxy
Autoři:
Nohavica, Dušan Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Škola růstu krystalů, Hnanice-Znojmo (CZ), 2008-09-01 / 2008-09-02
Rok:
2008
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Poměrně rozsáhlá přednáška shrnuje základní aspekty přípravy epitaxních vrstev z kapalné fáze (LPE), s důrazem ne deposici polovodičů. Jsou uvedeny způsoby dosažení maximální reprodukovatelnosti růstového procesu a účinnosti deposice. Důraz je rovněž kladen na rozbor mechanizmů tvorby dislokací v epitaxních vrstvách.Extended lecture collects mojority aspect of the "Liquid Phase Epitaxy", LPE, with special attention to the semiconductors growth. Methods of growth modifications enabling to increase growth reproduction and deposition efficiency are included. Also dislocations generation by different mechanisms is discussed in the article.
Klíčová slova:
dislocations; liquid phase epitaxial growth; stacking faults Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP) Zdrojový dokument: Škola růstu krystalů 2008, ISBN 978-80-254-2651-7
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0172225