Název: Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Překlad názvu: Influence of decreasing surface temperature of Si(100) on metal growth morphology at low coverage
Autoři: Doležal, Jiří ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2015
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Práce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly získány obrázky povrchu, které umožnily určení růstových charakteristik. Srovnání charakteristik pro různé teploty a dvě různá množství deponovaného kovu ukazuje, že ve všech studovaných případech převládá při růstu stejný mechanizmus. Je popsán a diskutován vliv ohřívání povrchu na rozdělení délek řetízků připravených při nízké teplotě. Dále je diskutován vliv C­defektů na růst řetízků a tvar škálovací funkce pro rozdělení délek. Byla ověřena použitelnost aparatury chlazené kapalným dusíkem k nízkoteplotním měřením a úspěšně testován nový systém čerpání dusíku do kryopanelu uvnitř STM aparatury. The thesis is focused on study of growth of tin chains on Si(100) surface deposited by vacuum evaporation at temperatures below room temperature. Scanning tunneling microscopy (STM) was used for surface imaging and growth characteristics were determined from the data. Comparison of the characteristics for different deposition temperatures and two different coverages shows a dominant role of the same growth mechanism in all cases. An influence of heating toward room temperature on chain length distribution of structures prepared at low temperatures is described and discussed. A role of C­defects at the chain growth and a corresponding influence on shape of a scaling function of the chain length distribution is discussed as well. Properties of the STM system with liquid nitrogen cooling were successfully tested together with developed pumping of nitrogen into a container inside the STM vacuum chamber.
Klíčová slova: rozdělení délek řetízků; růst cínových řetízků; Si(100); Sn; STM; chain lenght distribution; Si(100); Sn; Sn chains growth; STM

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/81909

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-351603


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce