Original title: Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Translated title: Influence of decreasing surface temperature of Si(100) on metal growth morphology at low coverage
Authors: Doležal, Jiří ; Ošťádal, Ivan (advisor) ; Matvija, Peter (referee)
Document type: Bachelor's theses
Year: 2015
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Práce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly získány obrázky povrchu, které umožnily určení růstových charakteristik. Srovnání charakteristik pro různé teploty a dvě různá množství deponovaného kovu ukazuje, že ve všech studovaných případech převládá při růstu stejný mechanizmus. Je popsán a diskutován vliv ohřívání povrchu na rozdělení délek řetízků připravených při nízké teplotě. Dále je diskutován vliv C­defektů na růst řetízků a tvar škálovací funkce pro rozdělení délek. Byla ověřena použitelnost aparatury chlazené kapalným dusíkem k nízkoteplotním měřením a úspěšně testován nový systém čerpání dusíku do kryopanelu uvnitř STM aparatury. The thesis is focused on study of growth of tin chains on Si(100) surface deposited by vacuum evaporation at temperatures below room temperature. Scanning tunneling microscopy (STM) was used for surface imaging and growth characteristics were determined from the data. Comparison of the characteristics for different deposition temperatures and two different coverages shows a dominant role of the same growth mechanism in all cases. An influence of heating toward room temperature on chain length distribution of structures prepared at low temperatures is described and discussed. A role of C­defects at the chain growth and a corresponding influence on shape of a scaling function of the chain length distribution is discussed as well. Properties of the STM system with liquid nitrogen cooling were successfully tested together with developed pumping of nitrogen into a container inside the STM vacuum chamber.
Keywords: chain lenght distribution; Si(100); Sn; Sn chains growth; STM; rozdělení délek řetízků; růst cínových řetízků; Si(100); Sn; STM

Institution: Charles University Faculties (theses) (web)
Document availability information: Available in the Charles University Digital Repository.
Original record: http://hdl.handle.net/20.500.11956/81909

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-351603


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Charles University > Charles University Faculties (theses)
Academic theses (ETDs) > Bachelor's theses