Original title: Preparation and properties of GaInP.sub.2./sub./GaAs heterostructures
Translated title: Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
Authors: Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel
Document type: Papers
Conference/Event: Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2004 /14./, Lednice (CZ), 2004-08-31 / 2004-09-03
Year: 2004
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
Growth of the Ga.sub.x./sub.In.sub.1-x./sub.P/GaAs(100) heterostructures from the liquid phase was optimized at 800.sup.o./sup.C to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping of the ternary layer by GaAs grown from the Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects has been suggested. Heteropřechody GaInP.sub.2./sub./GaAs byly pěstovány při teplotě 800.sup.o./sup.C epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.
Keywords: gallium arsenide; indium compounds; semiconductors
Project no.: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), ME 610
Funding provider: GA MŠk
Host item entry: Proceedings of the 14th Joint Seminar "Development of Materials Science in Research and Education", ISBN 80-7345-032-1

Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0112053

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32110


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Photonics and Electronics
Conference materials > Papers