Original title:
Preparation and properties of GaInP.sub.2./sub./GaAs heterostructures
Translated title:
Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
Authors:
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel Document type: Papers Conference/Event: Development of Materials Science in Research and Education - DMS-RE 2004 /14./, Lednice (CZ), 2004-08-31 / 2004-09-03
Year:
2004
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] Growth of the Ga.sub.x./sub.In.sub.1-x./sub.P/GaAs(100) heterostructures from the liquid phase was optimized at 800.sup.o./sup.C to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping of the ternary layer by GaAs grown from the Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects has been suggested.Heteropřechody GaInP.sub.2./sub./GaAs byly pěstovány při teplotě 800.sup.o./sup.C epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.
Keywords:
gallium arsenide; indium compounds; semiconductors Project no.: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), ME 610 Funding provider: GA MŠk Host item entry: Proceedings of the 14th Joint Seminar "Development of Materials Science in Research and Education", ISBN 80-7345-032-1
Institution: Institute of Photonics and Electronics AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0112053