Název: (100) substrate processing optimization for fabrication of smooth boron doped epitaxial diamond layer by PE CVD
Autoři: Mortet, Vincent ; Fekete, Ladislav ; Ashcheulov, Petr ; Taylor, Andrew ; Hubík, Pavel ; Trémouilles, D. ; Bedel-Pereira, E.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: International Conference NANOCON /6./, Brno (CZ), 2014-11-05 / 2014-11-07
Rok: 2015
Jazyk: eng
Abstrakt: Boron doped diamond layers were grown in an SEKI AX5010 microwave plasma enhanced chemical vapour deposition system. Effect of surface preparation, i.e. polishing and O2/H2 plasma etching on epitaxial growth on type Ib (100) HPHT synthetic diamonds were investigated. Using optimized substrate preparation, smooth (RRMS ~ 1 nm) boron doped diamond layers with metallic conduction and free of un-epitaxial crystallites were grown with a relatively high growth rate of 3.7 μm/h. Diamond were characterized by optical microscopy, optical profilometry, atomic force microscopy and Hall effect.
Klíčová slova: diamond; doping; PE CVD; surface treatment; thin film
Číslo projektu: GA13-31783S (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: NANOCON 2014. 6th International conference proceedings, ISBN 978-80-87294-53-6

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0263568

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-261323


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference