Název:
Low frequency noise and I-V characteristic as characterization tools for 2.3 µm CW GaSb based laser diodes
Překlad názvu:
Nízkofrekvenční šum a V-A charakteristiky kontinuálních GaSb laserových diod pro 2.3µm
Autoři:
Vaněk, J. ; Brzokoupil, V. ; Chobola, Z. ; Hulicius, Eduard ; Šimeček, Tomislav Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: International Workshop on Research Activities of Physics Departments of Civil Engineering Faculties in the Czech and Slovak Republics, Brno (CZ), 2004-09-14 / 2004-09-16
Rok:
2004
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] Transport and noise characteristic of forward biased 2.3 µm CW GaSb laser diodes were measured in order to evaluate new technology. From the measurement results it follows that noise spectral density related to defects is of 1/f type and its magnitude was found to be proportional to the square of DC forward current at low injection levelsPro vyhodnocení nové technologie byly změřeny transportní a šumové vlastnosti GaSb laserových diod pro 2.3µm v propustném směru. Z měření vyplývá, že závislost spektrální šumové hustoty způsobené defekty je typu 1/f a její velikost je úměrná čtverci stejnosměrného proudu v propustném směru při nízkých úrovních injekce
Klíčová slova:
GaSb; low frequency noise Číslo projektu: KSK1010104 (CEP) Poskytovatel projektu: GA AV ČR Zdrojový dokument: Research Activities of Physics Departments of Civil Engineering Faculties in the Czech and Slovak Republics, ISBN 80-7204-353-6
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0011499