Home > Conference materials > Papers > Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures
Original title:
Lasers with thin strained InAs layers in GaAs - electroluminescence and photoabsorption at elevated temperatures
Translated title:
Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách
Authors:
Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel Document type: Papers Conference/Event: Workshop 2003, Praha (CZ), 2003-02-10 / 2003-02-12
Year:
2003
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] Electro-optical characterisation of semiconductor lasers with very thin strained InAs layers in GaAs. The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current and capability to operate at elevated temperaturesElektrooptická charakterizace polovodičových laserů s velmi tenkými napjatými InAs vrstvami v GaAs. Lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízké prahové proudy a jsou schopné pracovat při zvýšených teplotách
Keywords:
electroluminescence; elevated temperature; GaAs; InAs; photoabsorption; quantum well Project no.: CEZ:MSM 212300014, IAA1010318 (CEP) Funding provider: GA AV ČR Host item entry: Workshop 2003
Institution: Institute of Physics AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0007551