host ::
| Hlavní stránka > Konferenční materiály > Příspěvky z konference > Silicon carbide for chemical application prepared by SPS method |
Název:
Silicon carbide for chemical application prepared by SPS method
Autoři: Brožek, Vlastimil ; Kubatík, Tomáš František ; Vilémová, Monika ; Mušálek, Radek ; Mastný, L.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Mezinárodní chemicko-technologická konference/2./, Mikulov (CZ), 2014-04-07 / 2014-04-09
Rok: 2014
Jazyk: eng
Abstrakt: Silicon carbide discovered more than 121 years ago has a wide usage in the mechanical engineering industry as well as in electrical engineering.It is an excellent abrasive medium as well as a construction material with high resistance to mechanical and chemical deterioration.Under standard condition, silicon carbide has no melting point (decomposes at 2700 °C – principle used for industrial production of silicon),thus the bulk form must be prepared in a composite form with a metallic, ceramic or polymer binder. This method is suitable for tailoring of mechanical properties; nevertheless,it does not produce SiC form applicable for laboratory purposes.Binder-free sintering of SiC is practically impossible, despite decreased chemical resistivity of the produced material. Pure SiC is insoluble in all acids except hydrofluoric acid.Reaction of SiC with HF is enabled only due to residual SiO2 created during the industrial production.However, SiO2 located between the planes of growth of SiC
Klíčová slova: impurities in silicon carbide; silicon carbide; silicon carbide corrosion; spark plasma sintering
Číslo projektu: GB14-36566G (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the 2nd International Conference on Chemical Technology, ISBN 978-80-86238-64-7
Poznámka: Související webová stránka: www.icct.cz
Instituce: Ústav fyziky plazmatu AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0236615
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-175328
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fyziky plazmatu
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Autoři: Brožek, Vlastimil ; Kubatík, Tomáš František ; Vilémová, Monika ; Mušálek, Radek ; Mastný, L.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Mezinárodní chemicko-technologická konference/2./, Mikulov (CZ), 2014-04-07 / 2014-04-09
Rok: 2014
Jazyk: eng
Abstrakt: Silicon carbide discovered more than 121 years ago has a wide usage in the mechanical engineering industry as well as in electrical engineering.It is an excellent abrasive medium as well as a construction material with high resistance to mechanical and chemical deterioration.Under standard condition, silicon carbide has no melting point (decomposes at 2700 °C – principle used for industrial production of silicon),thus the bulk form must be prepared in a composite form with a metallic, ceramic or polymer binder. This method is suitable for tailoring of mechanical properties; nevertheless,it does not produce SiC form applicable for laboratory purposes.Binder-free sintering of SiC is practically impossible, despite decreased chemical resistivity of the produced material. Pure SiC is insoluble in all acids except hydrofluoric acid.Reaction of SiC with HF is enabled only due to residual SiO2 created during the industrial production.However, SiO2 located between the planes of growth of SiC
Klíčová slova: impurities in silicon carbide; silicon carbide; silicon carbide corrosion; spark plasma sintering
Číslo projektu: GB14-36566G (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the 2nd International Conference on Chemical Technology, ISBN 978-80-86238-64-7
Poznámka: Související webová stránka: www.icct.cz
Instituce: Ústav fyziky plazmatu AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0236615
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-175328
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fyziky plazmatu
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Záznam vytvořen dne 2014-10-02, naposledy upraven 2021-11-24.