Název: Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature
Autoři: Meduňa, M. ; Caha, O. ; Kuběna, J. ; Kuběna, A. ; Svoboda, Milan ; Buršík, Jiří
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Scientific and Business Conference SILICON 2010 /12./, Rožnov pod Radhoštěm (CZ), 2010-11-02 / 2010-11-05
Rok: 2010
Jazyk: eng
Abstrakt: In this work we study two stage and three stage annealing processes with application of Tabula rasa. The evolution of precipitates at various phases during annealing process for various temperatures was obtained from series of experimental techniques.
Klíčová slova: oxygen precipitation; Si wafers
Zdrojový dokument: SILICON 2010. 12th Scientific and Business Conference, ISBN 978-80-254-7361-0

Instituce: Ústav fyziky materiálů AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0228230

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-166324


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fyziky materiálů
Konferenční materiály > Příspěvky z konference