Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 35 záznamů.  začátekpředchozí25 - 34další  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.02 vteřin. 
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Hazdra, Pavel (oponent)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
Návrh měniče s použitím polovodičů na bázi SiC
Kharchenko, Vadym ; Procházka, Petr (oponent) ; Kuzdas, Jan (vedoucí práce)
Tato práce navazuje na semestrální projekt 2. ze zimního semestru letošního akademického roku. Cílem této diplomové práce je návrh měniče s použitím polovodičových součástek na bázi technologie SiC. Tento měnič je použit při konstrukci rychlonabíječky pro elektromobil. Při navrhování tohoto měniče je nutné vycházet z požadavku pro dodržení napěťové bezpečnosti. Je zde popsáno dimenzování výkonových součástek použitých při konstrukci tohoto zařízení, stanoveny jejích ztráty a určena celková účinnost měniče. Dále je zde navržen matematický model vysokofrekvenčního transformátoru a provedena jeho simulace v programu MATLAB-Simulink.
Příprava objemové SiC keramiky pokročilými slinovacími metodami
Poczklán, Ladislav ; Pouchlý, Václav (oponent) ; Kachlík, Martin (vedoucí práce)
V této bakalářské práci byla provedena literární rešerše přípravy pokročilých kera-mických materiálů se zaměřením na neoxidickou keramiku na bázi karbidu křemíku. Studován byl vliv tlaku, teploty a času na její výslednou mikrostrukturu. Experimentální část byla věnována přípravě objemové SiC keramiky a to především metodou spark plasma sintering.
Návrh efuzní cely pro depozici ultratenkých vrstev Sn a Zn
Horák, Stanislav ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a sestavením efuzních cel pro depozici ultra- tenkých vrstev zinku a cínu. V práci jsou úvodem vysvětleny principy funkce efuzních cel, jako je metoda molekulární svazkové epitaxe (MBE) a tvorba efuzního toku. Dále je uve- dené shrnutí obecné konstrukce atomarních zdrojů a rešeršní studie o růstu ultratenkých vrstev a nanostruktur zinku, cínu a jejich sloučenin. V praktické části byly vytvořeny dva návrhy efuzních cel s radiačním ohřevem z karbidu křemíku a ohřevem pomocí dopadu elektronů. Přílohou práce je kompletní výkresová dokumentace navržených efuzních cel
Testování svodičů přepětí
Jeřábek, Lukáš ; Paar, Martin (oponent) ; Krbal, Michal (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se věnuje svodičům přepětí z oxidů kovů. Po historickém a teoretickém úvodu, který vysvětluje jejich princip a popisuje jejich charakteristické vlastnosti, následuje rozebrání normy IEC 60099-4 a testování podle této normy se zaměřením na typové zkoušky. Kapitola je také doplněna o přehled nedostatků normy a její pravděpodobný budoucí vývoj. Práce je zakončena průzkumem trhu, recenzí největších producentů a srovnáním jejich produktů.
Market survey of high power semiconductor devices
Jankovský, Martin ; Rujbrová, Šárka (oponent) ; Zmrzlá, Petra (vedoucí práce)
The main topic of the work are modern high power semiconductor devices. Emerging wide-band-gap materials and their electrical characteristics are also discussed. The work is then focused on these modern devices, including their basics, application and availability on the market. Furthermore, the work presents the tables of the devices offered by the European leading semiconductor manufacturers.
Návrh DPS výkonové části nabíječky pro elektromobil
Kharchenko, Vadym ; Otýpka, Jan (oponent) ; Kuzdas, Jan (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je návrh desek plošných spojt výkonové části rychlonabíječky na bází nových polovodičových prvkt SiC pro elektromobil. Tato práce navazuje na semestrální projekt ze zimního semestru letošního akademického roku. Kromě samotného návrhu DPS se zde popisuje dimenzování výkonových součástek použitých při konstrukci rychlonabíječky, stanovení jejích ztrát a provádí se měření, které má za úkol porovnat vlastnosti DC/DC měniče osazeného SiC diodami s měničem, jehož konstrukce je založená na klasických křemíkových diodách. Abstr
Design of nuclear ceramic materials with enhanced thermal conductivity
Roleček, Jakub ; Katovský, Karel (oponent) ; Salamon, David (vedoucí práce)
Uranium dioxide (UO2) is the most common fuel material used in commercial nuclear reactors. The main disadvantage of UO2 is its low thermal conductivity, and large amount of heat generated during the fission in nuclear reactor creates a large temperature gradient in the UO2 fuel pellet. This temperature gradient induces large thermal stress, which leads to fuel pellet cracking. These cracks help to the release of fission product gases after high burnup. The formation of cracks and increase fission gas generation leads to a considerable reduction of fuel pellet durability. This thesis deals with the issue of increasing the thermal conductivity of the UO2 nuclear fuel on model material (CeO2). In this work are studied similarities of the CeO2 and UO2 behavior during conventional sintering and spark plasma sintering. The concept of thermal conductivity enhancement deal with incorporation of high thermal conductivity material – silicon carbide (SiC) into the CeO2 pellets. Silicon carbide is expected to increase the heat flow out of the fuel pellet, and thus increasing the CeO2 thermal conductivity. Similarities of SiC behavior in the CeO2 matrix and SiC behavior in the UO2 matrix reported in literature are also discussed in this work.
Experimentální blokující spínaný zdroj 1200 W/ 150 kHz s polovodiči SiC
Grom, Martin ; Huták, Petr (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom a realizáciou experimentálneho blokujúceho meniča s využitím neobvyklého zapojenia pre bezstratové obmedzenie napäťového prekmitu na spínacom tranzistore a s využitím súčiastok z karbidu kremíka. Je popísaná problematika využitia blokujúceho meniča na prenos väčšieho výkonu a možné spôsoby riadenia. Ďalej je popísaný návrh silových a riadiacich obvodov, návrh DPS, zostrojenie meniča a namerané priebehy. Záver práce tvorí technická dokumentácia navrhnutej dosky. Navrhnutý menič bol úspešne zostrojený a odskúšaný.
Návrh měniče s použitím polovodičů na bázi SiC
Kharchenko, Vadym ; Procházka, Petr (oponent) ; Kuzdas, Jan (vedoucí práce)
Tato práce navazuje na semestrální projekt 2 ze zimního semestru letošního akademického roku. Cílem této diplomové práce je návrh měniče s použitím polovodičových součástek na bázi technologie SiC. Tento měnič je použit při konstrukci rychlonabíječky pro elektromobil. Při navrhování tohoto měniče je nutné vycházet z požadavku pro dodržení napěťové bezpečnosti. Je zde popsáno dimenzování výkonových součástek použitých při konstrukci tohoto zařízení, stanoveny jejich ztráty a určena celková účinnost měniče. Dále je zde navržen matematický model vysokofrekvenčního transformátoru a provedena jeho simulace v programu MATLAB-Simulink.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 35 záznamů.   začátekpředchozí25 - 34další  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.