Název: The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon.
Autoři: Stuchlík, J. ; Volodin, V.A. ; Shklyaev, A.A. ; Stuchlikova, T.H. ; Ledinsky, M. ; Čermák, J. ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, R. ; Mortet, V. ; More-Chevalier, J. ; Ashcheulov, P. ; Purkrt, A. ; Remeš, Z.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./, Brno (CZ), 20161019
Rok: 2017
Jazyk: eng
Abstrakt: We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 degrees C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
Klíčová slova: a-Si:H; Ge nanoparticles; MBE; PECVD
Zdrojový dokument: NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings, ISBN 978-80-87294-71-0

Instituce: Ústav anorganické chemie AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0279492

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-371108


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav anorganické chemie
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
 Záznam vytvořen dne 2018-01-11, naposledy upraven 2019-10-20.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet