Název: AlSb/InAsSb/AlSb deep QWs for the two band high temperature superlinear luminescence
Autoři: Hulicius, Eduard ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Mikhailova, M.
Typ dokumentu: Výzkumné zprávy
Rok: 2015
Jazyk: eng
Abstrakt: InAlAsSb/GaSb based hetero-nanostructures with deep quantum wells grown on GaSb are promising materials for the optoelectronic devices for near- and mid-IR spectral regions. Optical power and quantum efficiency of the LEDs based on the narrow bandgap semiconductor compounds (InGa)(AsSb) are limited by the nonradiative Auger recombination. Earlier we have proposed a method to increase the optical power in the bulk narrow bandgap and later in GaSb-based nanostructures with a deep QW by the effect of impact ionization on the QW with high band offset.
Klíčová slova: AlSb/InAsSb/AlSb; luminescence; quantum wells
Číslo projektu: MP1204 (CEP)
Poskytovatel projektu: COST

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0256048

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-201518


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Zprávy > Výzkumné zprávy