Název: Obecná metodika modelování vysokoteplotních technologických procesů metodou konečných prvků
Překlad názvu: General methodology for high temperature processes of semiconductor technology by the finite element methods
Autoři: Jirásek, Vít ; Potocký, Štěpán ; Sveshnikov, Alexey
Typ dokumentu: Metodiky
Rok: 2014
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: boron diffusion; CFD modelling; high temperature oxidation; high temperature reactor; LPCVD; PECVD; phosphorus diffusion
Číslo projektu: TA01020972 (CEP)

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0251280

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-200949


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Analytické a metodické materiály > Metodiky
 Záznam vytvořen dne 2015-11-14, naposledy upraven 2019-10-20.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet