Original title: Obecná metodika modelování vysokoteplotních technologických procesů metodou konečných prvků
Translated title: General methodology for high temperature processes of semiconductor technology by the finite element methods
Authors: Jirásek, Vít ; Potocký, Štěpán ; Sveshnikov, Alexey
Document type: Methods
Year: 2014
Language: cze
Abstract: [cze] [eng]
Byla vyvinuta obecná metodika modelování vysokoteplotních reaktorů vyráběných SVCS Process Innovation, s.r.o. metodou konečných prvků, resp. konečných objemů. Metodika zahrnuje principy práce se SW balíky pro multifyzikální CFD modelování se zřetelem na navzájem propojené procesy chemicky reagujícího proudění, transportu hmoty a tepla. Značná část je dále věnována vztahu model-experiment, verifikaci a validaci modelů a porovnání výpočtů s experimenty. A general methodology for modeling of high-temperature reactors produced by SVCS Process Innovation, Ltd., using the finite element, resp. finite volume method, was developed. The methodology covers basics principles of working with SW packages for CFD modeling with the emphasis on the strongly coupled processes of chemically reacting fluid flow, mass and heat transport. An important part is devoted to the model-experiment relationship, verification and validation of models and comparison with experiments.
Keywords: boron diffusion; CFD modelling; high temperature oxidation; high temperature reactor; LPCVD; PECVD; phosphorus diffusion
Project no.: TA01020972 (CEP)
Funding provider: GA TA ČR

Institution: Institute of Physics AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0251280

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-200949


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Physics
Analytical and methodological materials > Methods