Název: Metodika nedestruktivního určení koncentračního profilu bóru v Si deskách
Překlad názvu: Methodology of not destructive determination of boron concentration profile in Si wafers
Autoři: Holovský, Jakub ; Remeš, Zdeněk
Typ dokumentu: Metodiky
Rok: 2012
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: boron concentration profile; IR reflection; silicon substrate; UV ellipsometry
Číslo projektu: TA01020972 (CEP)

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0251279

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-200948


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Analytické a metodické materiály > Metodiky
 Záznam vytvořen dne 2015-11-14, naposledy upraven 2019-10-20.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet