Název: Balistická elektronová emisní mikroskopie kvantových InAs teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře
Překlad názvu: Ballistic electron emission microscopy of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure
Autoři: Vaniš, Jan ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Walachová, Jarmila
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Seminář o metodách blízkého pole /4./, Lázně Bohdaneč (CZ), 2004-10-04 / 2004-10-06
Rok: 2004
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Jsou prezentována balistická elektronová emisní měření InAs/GaAs kvantových teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře. Měřená struktura byla připravena MOCVD technikou. Při měřeních byla analyzována plošná oblast 1 μm.sup.2./sup. Na analyzovaných oblastech byly zviditelněny a změřeny různé velikosti a tvary kvantových teček. Obvyklá velikost kvantových teček byla přibližně 10 nm a méně. Pozorované tvary zřejmě souvisí s hustotou stavů v kvantových tečkách. Ballistic electron emission measurements of InAs/GaAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructures are presented in our contribution. Measured heterostructure was prepared by MOCVD technique. The area of 1 μm.sup.2./sup. was analyzed during measurements. Different size and shape of quantum dots on an examined area were vizualized. The average size of quantum dots were 10 nm and less. The observed shapes are probably connected with density of states in quantum dots.
Klíčová slova: ballistic transport; quantum dots; scanning tunneling microscopy
Číslo projektu: KSK1010104 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR
Zdrojový dokument: Čtvrtý seminář o metodách blízkého pole

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0013110

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19983


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference