|
|
Návrh efuzní cely pro depozici ultratenkých vrstev Sn a Zn
Horák, Stanislav ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a sestavením efuzních cel pro depozici ultra- tenkých vrstev zinku a cínu. V práci jsou úvodem vysvětleny principy funkce efuzních cel, jako je metoda molekulární svazkové epitaxe (MBE) a tvorba efuzního toku. Dále je uve- dené shrnutí obecné konstrukce atomarních zdrojů a rešeršní studie o růstu ultratenkých vrstev a nanostruktur zinku, cínu a jejich sloučenin. V praktické části byly vytvořeny dva návrhy efuzních cel s radiačním ohřevem z karbidu křemíku a ohřevem pomocí dopadu elektronů. Přílohou práce je kompletní výkresová dokumentace navržených efuzních cel
|
|
|
Příprava GeSn nanostruktur
Jedlička, Jindřich ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá metodami přípravy GeSn nanodrátů. V teoretické části je popsána pásová struktura pevných látek a jsou uvedeny důvody, proč je materiál GeSn zajímavý. Je představen mechanismus růstu nanodrátů a metody přípravy GeSn nanodrátů. V experimentální části byla sestavena efúzní cela pro depozici cínu a bylo provedeno její otestování a kalibrace.
|
|
|
Studium lokálně modifikovaných povrchů pro selektivní růst kobaltu
Krajňák, Tomáš ; Bábor, Petr (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
V této práci se pomocí metody rentgenové fotoelektronové spektroskopie určovala chemická analýza křemíkových substrátů s orientací (1 1 1). Byly využity přístroje XPS Kratos Supra a elektronový mikroskop Tescan LYRA3 s iontovým svazkem FIB ve sdílených laboratořích CEITEC (CF Nano). Povrch použitých substrátů byl lokálně modifikován fokusovaným iontovým svazkem gallia. Byly odprašovány čtvercové plochy o nominálních hloubkách od 1 nm do 10 nm. Dále byl studován vliv žíhání na takto modifikované oblasti. Výstupem této práce je určení závislostí intenzit Si 2p a Ga 2p3/2. Byla určena závislost intenzit těchto píků na nominální hloubce odprášených ploch a vliv teploty na tyto plochy. XPS analýza povedená po modifikaci substrátu fokusovaným iontovým svazkem odhalila přítomnost gallia a další složku píku Si 2p. Tato komponenta byla přiřazena amorfnímu křemíku. Veškeré gallium bylo ze vzorku odstraněno při žíhání vzorku na teplotě 700 °C po dobu 120 minut.
|
|
|
Návrh manipulátoru pro ultravakuový elektronový mikroskop
Caesar, Radek ; Mach, Jindřich (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Hlavním cílem této bakalářské práce je návrh konstrukce manipulátoru pro ultravakuový elektronový mikroskop (UHV SEM), který je v současné době vyvíjen firmou TESCAN ve spolupráci s Ústavem fyzikálního inženýrství FSI VUT. Tento manipulátor má umožnit manipulaci se vzorky v tzv. přípravné komoře, do níž se vzorky vpravují před jejich umístěním do analytické komory. V přípravné komoře probíhají povrchové a jiné úpravy vzorku. V teoretické části jsou popsány některé technologie, užívané v oblasti vakuové techniky, především různé principy měření tlaku a čerpání vzduchu. Dále je práce zaměřena na stručný popis vyvíjeného UHV SEM a metod přípravy vzorků. Praktická část se zabývá samotným návrhem a popisem konstrukce manipulátoru.
|
|
|
Příprava ultratenkých vrstev SiN
Dvořák, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována rešeršní studie dosavadních poznatků o nitridu křemíku a jeho aplikaci v polovodičovém průmyslu. Dále byly provedeny první experimenty s depozicemi ultratenkých vrstev Si a SiN. Tyto vrstvy byly analyzovány metodami rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM).
|
|
|
Studium molekulárních svazků organických materiálů
Maniš, Jaroslav ; Průša, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá sestavením nízkoteplotní efuzní cely vhodné pro napařování organických materiálů. Je provedena kalibrace provozních teplot efuzní cely. Jsou provedeny depozice organického polovodičového materiálu a je proměřena morfologie povrchu vzniklých vrstev na AFM a SEM zařízení. Součástí práce je rešeršní studie shrnující poznatky o využití organických materiálů v polovodičovém průmyslu.
|
|
|
Adaptace aparatury UHV SEM pro tvorbu a charakterizaci nanostruktur
Skladaný, Roman ; Mach, Jindřich (oponent) ; Páleníček, Michal (vedoucí práce)
V této bakalářské práci je představeno konstrukční řešení ochrany objektivu ultra vakuového rastrovacího elektronového mikroskopu (UHV SEM), který je součástí komplexní modulární UHV aparatury používané k tvorbě, pozorování a charakterizaci nanostruktur. Jsou vysvětleny hlavní fyzikální a technické principy fungování zařízení UHV SEM. Dále je popsána adaptace efuzní cely používané ke tvorbě ultratenkých vrstev v aparatuře UHV SEM. V další části práce je navrženo konstrukční řešení clony redukující ohřívání a kontaminaci objektivu při in situ růstu a pozorování nanostruktur. V případě chlazení vzorku na kryogenní teploty lze clonou objektivu také chránit vzorek před tepelným zářením z okolí.
|
|
|
Návrh a konstrukce efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev
Křápek, Ondřej ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii.
|
|
|
Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB
Flajšmanová, Jana ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá depozicemi Ga a GaN na křemíkový substrát Si(1 1 1). Substrát s nativní vrstvou oxidu křemičitého (SiO2) byl modifikován fokusovaným iontovým svazkem (FIB). GaN bylo deponováno sekvenčně užitím procesu postnitridace. Vzorky byly studovány mikroskopem atomárních sil (AFM), rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) a rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM).
|
|
|
Depozice Al a AlN ultratenkých vrstev na křemíkový a grafenový substrát
Řihák, Radek ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou a analýzou ultratenkých vrstev hliníku a nitridu hliníku. Vrstvy byly připraveny depozicí z efuzních cel navržených v rámci předchozí bakalářské práce autora. Jejich konstrukce a testování je v práci rovněž zahrnuta. Experimentálně byly zkoumány vlastnosti hliníkových vrstev na nativním oxidu křemíku, křemíku a grafenu. Rovněž je zde popsána příprava nitridu hliníku pomocí dusíkového iontového zdroje.
|
host ::
RSS.