Název: Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB
Překlad názvu: Sequential growth of GaN nanocrystals on SiO2 substrate modified by FIB method
Autoři: Flajšmanová, Jana ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2013
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá depozicemi Ga a GaN na křemíkový substrát Si(1 1 1). Substrát s nativní vrstvou oxidu křemičitého (SiO2) byl modifikován fokusovaným iontovým svazkem (FIB). GaN bylo deponováno sekvenčně užitím procesu postnitridace. Vzorky byly studovány mikroskopem atomárních sil (AFM), rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) a rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM). This bachelor's thesis deals with the selective growth of gallium (Ga) and gallium nitride (GaN). In theoretical part, there is a brief description of growth of ultrathin films with respect to GaN and their manufacturing. Experimental part is aimed to the deposition of Ga and GaN on silicon substrates Si(1 1 1). Substrates with the native silicon dioxide layer (SiO2) were modified by focused ion beam (FIB). GaN was deposited by pulsed deposition followed by postnitridation. Prepared samples were studied by atomic force microscope (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscope (SEM).
Klíčová slova: efúzní cela; FIB; Ga; GaN; iontově-atomární zdroj; postnitridace; sekvenční depozice; selektivní růst; XPS.; effusion cell; FIB; Ga; GaN; ion-atomic source; postnitridation; pulse deposition; selective growth; XPS.

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/27965

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-557301


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce