|
|
Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Kaňa, Leoš ; Šebesta, Jiří (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Integrated temperature sensor bipolar core
Fránek, Jakub ; Prokop, Roman (oponent) ; Kledrowetz, Vilém (vedoucí práce)
The aim of this thesis is to describe the main possible ways of implementing a smart temperature sensor on a silicon chip in common CMOS process technologies and to design an analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor in TSMC 110 process technology. Techniques such as chopping, dynamic element matching or trimming have been utilized to design circuits whose simulated 3 measurement precision is ±3.5 °C untrimmed or ±0.6 °C after single point trim over the military temperature range. The designed circuits occupy as little as 0.012 mm squared of die area and their overall performance is comparable to the current state of the art.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
| |
|
|
Integrated temperature sensor bipolar core
Fránek, Jakub ; Prokop, Roman (oponent) ; Kledrowetz, Vilém (vedoucí práce)
The aim of this thesis is to describe the main possible ways of implementing a smart temperature sensor on a silicon chip in common CMOS process technologies and to design an analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor in TSMC 110 process technology. Techniques such as chopping, dynamic element matching or trimming have been utilized to design circuits whose simulated 3 measurement precision is ±3.5 °C untrimmed or ±0.6 °C after single point trim over the military temperature range. The designed circuits occupy as little as 0.012 mm squared of die area and their overall performance is comparable to the current state of the art.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
| |
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Měření vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Kaňa, Leoš ; Šebesta, Jiří (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
V rámci zefektivnění měření vlastností tranzistorů, ať už unipolárních (FET) nebo bipolárních (BJT), v laboratorních podmínkách a tím jejich lepší pochopení v rámci probírané látky, je žádoucí mít k dispozici pracoviště respektive přípravek, umožňující tato měření s obměnitelnými měřenými prvky. Práce je zaměřena nejen na návrh a vývoj takovéhoto přípravku, ale zároveň obsahuje stručný popis základních parametrů a vlastností tranzistorů. Dále se práce zabývá realizací programů pro měření statických charakteristik tranzistorů v prostředí programu VEE 8.0 Pro. Výstupem by tedy měla být komplexní laboratorní úloha zaměřená na bipolární a unipolární tranzistory včetně navržených programů. K vývoji DPS přípravku byl použit návrhový systém Eagle. V práci je samozřejmě obsažená i teorie potřebná pro měření a programování měřicích přístrojů. Kromě změny měřeného prvku je zde možnost obměny zapojení tranzistoru v obvodu a to jak pro BJT (SE, SC, SB) tak pro unipolární JFET (SS, SG, SD) tranzistory.
|
host ::
RSS.