Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 69 záznamů.  začátekpředchozí59 - 68další  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Pozorování nevodivých nano-struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu
Wandrol, Petr ; Mika, Filip
Práce se zabývá pozorováním nevodivých vzorků v rastrovacím elektronovém mikroskopu metodou nalezení kritické energie pomocí katodové čočky a detektorem nízkoenergiových zpětně odražených elektronů. Obě metody jsou detailně popsány a jejich výhody jsou ukázány na zobrazení rozličných nevodivých vzorků.
Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM
Mika, Filip ; Frank, Luděk
Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí,bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ.
Zobrazení dopantu v polovodiči s pomocí sekundárních elektronů v LESEM
Mika, Filip ; Frank, Luděk
Jedním z klíčových parametrů, které charakterizují polovodičovou součástku je profil dopantu. Dopování do hloubky je díky rozměrům detailů na čipu shodné s dopováním do stran. Z toho následně vyplývají i potíže při charakterizaci součástky. 2D profil dopantu byl zkoumán na mikroskopu vybaveném katodovou čočkou.
Kvantifikace hustoty rozložení dopantu v polovodiči s pomocí REM
Mika, Filip ; Frank, Luděk
Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí, bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ. Cílem práce je prozkoumat vliv emisního úhlu signálních elektronů na kontrast.
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Mika, Filip
Tématem práce je výzkum jedné vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí HV a UHV rastrovacího mikroskopu. Cílem práce je prozkoumat tvorbu kontrastu v polovodičích, identifikovat faktory, které ji ovlivňují, a nalézt optimální podmínky zobrazení dopovaných oblastí pro získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.
Scanning electron microscopy with low energy electrons
Mika, Filip
A method of scanning electron microscopy (SEM) of nonconductive specimens, based on measurement and utilisation of the critical energy of electron impact, is described in detail together with examples of its application. The critical energy, at which the total electron yield curve crosses the unit level, is estimated on the base of measurement of the time development in the image signal from beginning of irradiation. The method is programmed and implemented as a module to the controlling software of the micropscope type VEGA, where it secures fast search for the critical energy value.
Scanning electron microscopy with low energy electrons
Mika, Filip
A method of scanning electron microscopy (SEM) of nonconductive specimens, based on measurement and utilisation of the critical energy of electron impact, is described in detail together with examples of its applications. The critical energy, at which the total electron yield curve crosses the unit level, is estimated on the base of measurement of the time development in the image signal from beginning of irradiation. The method is programmed and implemented as a module to the controlling software of the microscope type VEGA, where it secures fast search for the critical energy value.
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Mika, Filip
Tématem práce je studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.
Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM
Mika, Filip ; Frank, Luděk
Velikost funkčních detailů v polovodičové struktuře se trvale zmenšuje. Mezi strukturními prvky hrají klíčovou roli lokálně dopované obrazce a existuje tedy potřeba nástrojů umožňujících jejich pozorování. Pro rychlou diagnostiku a kontrolu kvality polovodičů je používán rastrovací elektronový mikroskop se svým širokým rozsahem zvětšení, možností detekovat různé typy signálů, rychlostí sběru dat a minimálním poškozováním preparátu při pozorování, zvláště při nízkých energiích elektronů. Koncentrace dopantu v polovodiči je kvantitativně určována na základě měření úrovně obrazového kontrastu v signálu sekundárních elektronů (SE) mezi různě dopovanými oblastmi polovodiče

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 69 záznamů.   začátekpředchozí59 - 68další  přejít na záznam:
Viz též: podobná jména autorů
41 Míka, Filip
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.