Název: Kontrast dopovaných oblastí v polovodiči zobrazený sekundárními elektrony v SEM
Překlad názvu: Dopant contrast imaged with SE in SEM
Autoři: Mika, Filip ; Frank, Luděk
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Mikroskopie 2006, Nové Město na Moravě (CZ), 2006-02-16 / 2006-02-17
Rok: 2006
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí,bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ. The dopant contrast in SEM has now been studied for more than a decade, a clear explanation of it remains a matter for the future. Generally, p-type silicon appears brighter in the secondary electron (SE) emission than n-type.
Klíčová slova: dopant contrast; SEM
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20650511 (CEP)
Zdrojový dokument: Mikroskopie 2006

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0140970

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-36412


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference