Název: Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
Překlad názvu: Quantitative study of density of the dopant configuration in a semiconductor by emission of secondary electrons
Autoři: Mika, Filip
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: PDS 2002, Brno (CZ), 2002-12-16
Rok: 2002
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Tématem práce je studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí. The topic of the work is study of one technological layer of semiconductor structure with delimited doped areas by scanning microscope with slow electrons in both ultra-high vacuum and standard vacuum conditions. The aim is to find optimum conditions of imaging of doped areas and to obtain dependence values between the contrast and density of the addition.
Klíčová slova: contrast; low energy SEM; semi-conductor structure
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2065902 (CEP), IAA1065901 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR
Zdrojový dokument: Sborník prací prezentovaných na Semináři doktorandů oboru Elektronová optika konaném dne 16. 12. 2002, ISBN 80-238-9915-5

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0101208

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-29577


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference