Hulicius, Eduard - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: Hulicius, Eduard

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE Hulicius, Eduard ; Pacherová, Oliva ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Šimeček, Tomislav ; Melichar, Karel ; Petříček, Otto ; Chráska, T. ; Holý, V. ; Vávra, I. ; Ouattara, L. Zjistili jsme, že strmost a symetrie na atomární úrovni je také dosažitelná s technologií MOVPE. V těchto strukturách jsme schopni nalézt pouze periodicitu, zatímco obrázky s rozlišením na atomární úrovni dávají spolehlivé údaje o tlouštce. Úplný záznam
	Měření profilu koncentrace/složení na polovodičových nanovrstvách kontaktní metodou. (Measurement of concentration/composition profiles on semiconductor nanostructures with contract mothod) Walachová, Jarmila ; Zelinka, Jiří ; Vaniš, Jan ; Hulicius, Eduard ; Šimeček, Tomáš Úplný záznam
	InAs/GaAs quantum-size structures grown by MOVPE Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Šimeček, Tomislav Structures with quantum size objects as self-organised quantum dots, quantum rings, wires and quasi-quantum wells could be reproducibly grown by MOVPE. The advantage of MOVPE technology is its material variability, operating costs and relation to the industry. Úplný záznam
	Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs Hazdra, P. ; Voves, J. ; Oswald, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Petříček, Otto ; Kuldová, Karla The dependence of the electroluminescence spectra on the number of ë-InAs layers and on the distance of these ë-InAs layers was studied under pulse excitation in the wide range of current densities. Úplný záznam
	Optická reflexe a fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs Humlíček, J. ; Navrátil, K. ; Lorenc, M. ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Hulicius, Eduard Úplný záznam
	Struktury kvantových teček v systému InAs/GaAs, připravené metodou LP-MOVPE Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav Úplný záznam
	Polovodičové lasery pro střední infračervenou číst spektra Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard Úplný záznam
	Příprava a charakterizace kvantově-rozměrových struktur připravených z polovodičů A III B V technologií MOVPE Hulicius, Eduard ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Oswald, Jiří ; Vorlíček, Vladimír ; Kuldová, Karla Úplný záznam
	Sborník příspěvků ze semináře Odborné skupiny Polovodiče Fyzikální vědecké sekce Jednoty českých matematiků a fyziků Hulicius, Eduard ; Humlíček, J. ; Velický, Bedřich Úplný záznam
	InAs/GaSb structures on GaSb: A raman scattering study Vorlíček, Vladimír ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English