|
| |
|
|
Korelace změny signálu AE s rozvojem kontaktního poškození
Nohál, Libor ; Čermák, Jan (oponent) ; Hájek, Karel (oponent) ; Hutař, Pavel (oponent) ; Mazal, Pavel (vedoucí práce)
Tato dizertační práce se zabývá experimentálním studiem zpřesněné detekce vzniku únavového kontaktního poškození pomocí metody akustické emise. Byla realizována série experimentů na dvou reprezentantech ložiskových ocelí a pro zvolené parametry akustické emise byla provedena analýza citlivosti na přítomnost kontaktního poškození. Rozsah poškození byl klasifikován do čtyř tříd a parametry signálu nejvíce charakterizující rozvoj poškození byly korelovány s rozsahem poškození. Byl také ověřen vliv druhu maziva na signál akustické emise. Výsledky práce mají dopad na provádění zpřesněných zkoušek na odolnost proti kontaktní únavě a vyhodnocování parametrů signálu akustické emise. Na základě experimentů byla stanovena metodika provádění zpřesněných zkoušek metodou akustické emise na zařízení AXMAT II.
|
|
|
Noise and Transport Analysis of the Niobium Oxide Layers
Sita, Zdeněk ; Hájek, Karel (oponent) ; Koktavý, Bohumil (oponent) ; Grmela, Lubomír (vedoucí práce)
Niobium oxide capacitor is a new type of passive components, which was developed to overcome basic disadvantages of Tantalum capacitors – limited ore source and burning failure mode. Similarly to Tantalum one, the niobium oxide capacitor can be described as a reverse MIS structure. V-A characteristics in normal and reverse mode at 77 and 300K, capacitance dependence of depleted layer on voltage and frequency, temperature and time dependence of leakage current and noise spectral density in frequency and time domains for different voltages were used to study charge carrier transport mechanisms in Nb2O5 dielectric and to define physical parameters, controlling the leakage current. Experimental data verified validity of proposed MIS structure band diagram and provided its key parameters. It was proven that the charge carrier transport in NbO capacitors is given by ohmic, Poole-Frenkel and tunnelling component in normal mode, and Schottky emission in reverse mode. Poole-Frenkel mechanism in normal mode and Schottky emission in reverse mode are dominant in the standard application voltage range. At high voltages, the tunnelling mechanism in normal mode determines breakdown voltage of the capacitor. In reverse mode, the barrier height between dielectric and anode determines resistance against thermal breakdown of the capacitor. It was found that NbO and Ta capacitors have identical conductivity mechanisms. Specifics of NbO anode material are reflected only in different values of the band diagram parameters, not in the principles of charge carrier transport mechanisms. This explains basic difference between both capacitors, which is in the quality of the dielectric layer at the anode - dielectric interface. Lower potential barriers and higher number of defects in the dielectric, caused by additional stable oxide, result in higher leakage current of NbO capacitor. This effect has however no effect on reliability of the component. Theoretical models and determined testing methods were used to select proper anode materials, to evaluate suitable dopants for NbO raw material improvement and to optimize the anodic oxidation technology. Charge carrier transport parameters were correlated with the reliability and on the basis of experimental data optimization of the capacitors manufacturing process was proposed. Better understanding of transport mechanisms in the NbO capacitors gave complete overview of the new Niobium oxide based component with highlighting strong and weak points of this new technology, and provided tools for better understanding of driving forces which improve efficiency and reliability of NbO capacitors.
|
|
|
Využití metody akustické emise pro zpřesnění diagnostiky vzniku poškození radiálních ložisek
Hort, Filip ; Pazdera, Luboš (oponent) ; Hájek, Karel (oponent) ; Samek,, Jiří (oponent) ; Mazal, Pavel (vedoucí práce)
Disertační práce se zabývá studiem možnosti využití metody akustické emise, jako nástroje pro zpřesnění identifikace vzniku poškození radiálních ložisek. Práce obsahuje porovnání různých metod hodnocení poškození ložisek při laboratorních zkouškách. Dále je zohledněno i použité vazebné prostředí mezi stykovými plochami snímačů a snímaných povrchů. Praktická část zahrnuje představení experimentální stanice a provedených konstrukční úprav. Hlavní část práce tvoří podrobně rozebrané příklady tři typů experimentálních zkoušek, které simulují možné poruchy ložisek a jejich projevy ve snímaném signálu. Součástí je také vypracovaná metodika zkoušení s doporučenými hodnotami pro nastavení společného měření signálu AE, vibrací a teploty.
|
|
|
Emulátor memkapacitoru
Weiss, Lukáš ; Hájek, Karel (oponent) ; Biolek, Dalibor (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je navrhnout emulátor memkapacitoru s po částech lineární (PWL) charakteristikou. Memkapacitor se řadí mezi mem-součástky, které byly postulovány v 70. - 80. letech minulého století Leonem Chuou. Objevem memristoru v roce 2008 v laborato- řích HP se k mem-součástkám a mem-systémům obrátila pozornost velké části elektrotech- nického světa. V první části jsou shrnuty základní informace o mem-systémech. V druhé části je rozebráno několik možností řešení analogového emulátoru memkapacitoru. V třetí části je vybráno řešení, které je následně simulováno v programu PSPICE s použitím konkrétních modelů moderních aktivních integrovaných součástek. V posledním oddílu je navržené ob- vodové řešení realizováno na desce plošných spojů a chování tohoto systému je změřeno a porovnáno s výsledky z části simulací.
|
|
|
Memristor s PWL charakteristikou
Holas, Jiří ; Hájek, Karel (oponent) ; Biolek, Dalibor (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá analogovou emulací memristorové paměti s po částech lineární charakteristikou typu náboj-tok, která je navrhována do moderních digitálních pamětí. V první části dokumentu jsou shrnuty základní poznatky a vlastnosti memristoru pro správné modelování. V dalších částech je popsáno obvodové řešení a počítačová simulace. Připojen je i návrh desky plošných spojů a výsledky měření na prototypu emulátoru memristoru.
|
|
|
Šumová spektroskopie detektorů záření na bázi CdTe
Zajaček, Jiří ; Štourač, Ladislav (oponent) ; Hájek, Karel (oponent) ; Grmela, Lubomír (vedoucí práce)
Předmětem této práce je šumová spektroskopie detektorů (-záření a paprsků X) vyrobených na bázi CdTe. Vychází se ze sledování hladiny nízkofrekvenčního nadbytečného šumu při transportu náboje jak v časové tak ve frekvenční oblasti prostřednictvím spektrální hustoty výkonu (PSD) s logaritmickým rozlišením frekvenční osy. V práci je nově popsaný návrh měřící metody PSD, který je odvozený od diskrétní vlnkové transformace a dává srovnatelné výsledky s dříve užívanou analogovou technikou. Na námi vytvořený model monokrystalu CdTe je možno pohlížet jako na antiseriové spojení dvou Shottkyho diod s rezistorem mezi nimi. Ten pak představuje odpor v objemu vzorku polovodiče, který se mění v důsledku změny koncentrace nosičů při konstantních podmínkách jako je teplota nebo přiložené napětí či osvětlení. Při změně teploty se vzorek CdTe zpočátku chová jako kov. V důsledku změny pohyblivosti nosičů (děr nebo elektronů) pak začnou převládat vlastnosti polovodiče díky jejich tepelné generaci. Spektrální hustota výkonu nízkofrekvenčního šumu závisí na počtu volných nosičů ve vzorku. U všech zkoumaných vzorků byla hladina šumu 1/f mnohonásobně vyšší než se dá určit pomocí Hoogeho teorie. To je způsobeno nízkou koncentrací nosičů ve vyprázdněné vrstvě záporně polarizovaného kontaktu.
|
|
|
Vylepšování extrakce informací ze spustitelných souborů
Hájek, Karel ; Kolář, Dušan (oponent) ; Zobal, Lukáš (vedoucí práce)
Práce se zabývá rozšiřováním open-source projektu zpětného překladače RetDec společnosti Avast. Jedná se o vylepšování extrakce informací ze spustitelných souborů, které jsou využitelné při analýze škodlivého softwaru. Navrhuje několik možností rozšíření extrakce v projektu RetDec. Z těchto možností jsou vybrány ty nejužitečnější, které se následně implementují. Mezi vybraná rozšíření patří hlubší analýza formátu Authenticode, což je technologie společnosti Microsoft pro digitální podepisování spustitelných souborů na systémech Windows, a tvorba hashe symbolů pro spustitelné soubory na Linuxových systémech. Výstupem práce je implementace vybraných rozšíření a jejich otestování na skutečných vzorcích škodlivého softwaru.
|
|
|
Transport elektrického náboje v tantalovém kondenzátoru
Pelčák, Jaromír ; Koktavý, Bohumil (oponent) ; Hájek, Karel (oponent) ; Grmela, Lubomír (vedoucí práce)
Cílem této práce bylo studium vlastností tantalových kondenzátorů s pevným elektrolytem. Kondenzátor typu Ta – Ta2O5 – MnO2 svým složením představuje MIS strukturu, kde tantalová anoda má kovovou vodivost a burel – MnO2 je polovodič. Izolační vrstva je tvořena pentoxidem tantalu Ta2O5 s relativní permitivitou r = 27. Tloušťka izolační vrstvy je v rozmezí 30 až 150nm. Náboj kondenzátoru není akumulován jen na elektrodách, ale také na lokalizovaných stavech (kyslíkových vakancích) v izolační vrstvě. Kondenzátor zapojený v normálním režimu představuje strukturu typu MIS zapojenou v závěrném směru, kdy přiložené napětí zvyšuje potenciálovou bariéru mezi polovodičem – burelem a izolantem – Ta2O5. V normálním modu – při přiložení kladného napětí na Ta, je transport nosičů náboje izolační vrstvou určený Poole-Frenkelovým mechanismem a tunelováním. Při nízké intenzitě elektrického pole je dominantní Poole-Frenkelův mechanismus transportu náboje, při vyšší intenzitě elektrického pole je proud určen tunelováním. Při nízké intenzitě elektrického pole se projeví i ohmická složka proudu určená odporem příměsového pásu vytvořeného v izolantu donorovými stavy kyslíkových vakancí. Na základě modelování naměřených VA charakteristik lze odhadnout efektivní tloušťku dielektrika Ta2O5 a určit podíl Poole-Frenkelova a tunelového proudu na transportu náboje. V mé práci je popsáno rozložení náboje na tantalovém kondenzátoru v oblasti nízkých frekvencí a provedena analýza charakteristik kondenzátoru ve frekvenční oblasti. Prvotním podmětem pro tuto práci je snaha vytvoření náhradního modelu tantalového kondenzátoru z hlediska jeho fyzikálního a elektrického chování. Na základě náhradního elektrického modelu lze pak dále zkoumat a stanovit rozložení a transport elektrického náboje v kondenzátoru. Změřením elektrických parametrů lze taktéž dospět k určení potenciálových bariér a rozložení potenciálu ve struktuře kondenzátoru. Tato metodika spočívá v analýze elektrických charakteristik kondenzátoru, pomocí nichž se vytvoří fyzikální model kondenzátoru popisující jeho funkci, vlastnosti a chování.
|
|
|
Diagnostika a terapie psychospirituální krize - mapující studie
Janečková, Barbora ; Bahbouh, Radvan (vedoucí práce) ; Břicháček, Václav (oponent) ; Hájek, Karel (oponent)
Disertacní práce obsahuje nástin definice psychospirituální krize, diferenciálne diagnostická hlediska, popis ruzných podob psychospirituální krize. Zabývá se terapeutickými možnostmi práce s takovými stavy. Soucástí disertace je rozbor semistrukturovaných rozhovoru s takto diagnostikovanými klienty a terapeuty, kterí s tímto okruhem problematiky pracují. V analýze rozhovoru s terapeuty se zameruji na jejich vlastní zkušenosti s dynamikou psychospirituální krize, její klícové projevy, eventuální existenci spolecných rysu klientu s touto diagnózou. Duležitým bodem rozhovoru jsou i nejosvedcenejší a nejefektivnejší zpusoby práce s klienty s psychospirituální krizí. Zajímala jsem se i o jejich vlastní výklad vzniku psychospirituální krize a posouzení zmeny kvality života klienta po jejím odeznení. V analýze rozhovoru s klienty mapuji údaje týkající se období, ve kterém se psychospirituální krize objevila, její projevy, délku trvání a reakce okolí. Podstatná cást rozhovoru je zamerena na intervence, které klient zažil, jejich úcinnost a možné životní zmeny, které nastaly po odeznení sledovaných symptomu. Kazuistiky, které jsem vybrala, demonstrují typické rysy popisované u psychospirituální krize, jako je napríklad bourlivé prožívání následované úplným spontánním odeznením príznaku, ale i posun v oblasti hodnot...
|
host ::
RSS.