Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 78 záznamů.  začátekpředchozí59 - 68další  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Graphene Field-Effect Transistor as a Probe of Doping by Adsorbed Oxygen Molecules
Blechta, Václav ; Mergl, Martin ; Drogowska, Karolina ; Kučera, Lukáš ; Valeš, Václav ; Červenka, Jiří ; Kalbáč, Martin
Graphene has high potential in chemical sensing, thus understanding adsorption and charge transfer between graphene and adsorbed molecules is essential. We show that graphene field-effect transistor exhibits a moderate sensoric response towards oxygen at temperature of 150 °C. Field-effect transistors serve as a tool to probe electronic properties of graphene. We demonstrate that adsorption of oxygen molecules onto graphene leads to an upshift of Dirac point and light changes in mobility of charge carriers.
Specifications of swithced DC/DC convertors used for automotive applications. Parameters of suitable MOSFETs, option fo partials damping of their switching operation
Langer, Lukáš ; Froehling, Kenneth (oponent) ; Walek, Agata (vedoucí práce)
The main topic of this bachelor thesis is an introduction to the usage of a new device for automotive lights, mainly LED lights. The thesis is focused on the usage of LED lights, their circuits and drivers. Furthermore, the thesis is aimed at power MOSFETs suitable for LED drivers, their parameters and their effect on the circuits. In the thesis will be included also a description of the measurement of given circuits with following comments on the output as well as the comment on the measurement itself. The goal of the thesis is not in technical details, but it is in a usage of English language used for more general description of principles and measurement processes.
High effective switched power supply
Rástočný, Martin ; Kledrowetz, Vilém (oponent) ; Pavlík, Michal (vedoucí práce)
This bachelor’s thesis analyses theoretical basis of switched mode power supplies. Selections of right topology for implementation, design of power and control circuits are discussed. The thesis also contains a brief summary of switched mode power supplies. Subsequently it focuses on calculations and selection of appropriate power components. A result of the thesis lies in development and practical design of switched mode power supply and its optimization for high effectivity of conversion. To achieve these theoretical calculations of parameters for chosen topology were made.
Měření dynamických vlastností bipolárních tranzistorů
Repčík, Juraj ; Šteffan, Pavel (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cieľom bakalárskej práce je rozobrať teoretický základ merania bipolárnych tranzistorov. V prvom rade statické vlastnosti BJT, nastavenie jednosmerných napätí a prúdov v elektrickom obvode (pracovný bod). Ďalej rozoberá meranie vybraných dynamických vlastností zosilňovača s bipolárnym tranzistorom. Teoretické poznatky sú prezentované na praktickom zapojení a laboratórnom meraní týchto vlastností s pripojenými laboratórnymi meracími prístrojmi. Meranie je automatizované pomocou počítača s vývojovým prostredím LabVIEW. Sú vyvinuté užívateľské programy na zmeranie V-A charakteristík bipolárneho tranzistora a meranie dynamických vlastností zosilňovača. Práca poukazuje na výhodný spôsob vývoja programového vybavenia pre automatizovanie merania pomocou grafického programovania v LabVIEW.
Řízený napájecí zdroj 50V/5A
Herman, Tomáš ; Vorel, Pavel (oponent) ; Huták, Petr (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá návrhem regulovatelného zdroje stejnosměrného napětí. První část práce pojednává o typickém zapojení zdrojů a následně vlastnostech jednotlivých komponentů zdroje. Druhá část práce je o samotném návrhu řídících obvodů, výběr součástek, zapojení a návrhu plošného spoje.
Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET
Vitek, Vojtech ; Vorel, Pavel (oponent) ; Procházka, Petr (vedoucí práce)
Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET
Fiala, Zbyněk ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Práce popisuje postup při návrhu budicích obvodů pro GaN MOSFET tranzistory, které jsou známé především díky schopnosti rychlého spínání. V úvodu práce je nejprve rozebrána a popsána problematika GaN MOSFET tranzistorů a rovněž práce srovnává různé typy MOSFET tranzistorů z hlediska jejich elektrických i mechanických vlastností. Dále je zvolen konkrétní typ budicího obvodu, který byl vybrán v semestrální práci. K ověření činnosti tohoto budicího obvodu byl navržen spínaný zdroj s výstupním výkonem 600W a velikou pracovní frekvencí 800kHz jako pokusný měřící obvod, který byl po zkonstruování oživen, a bylo na něm provedeno kontrolní měření. Zachycené průběhy pomocí osciloskopu jsou následně okomentovány. Závěrem práce je zhodnocení nabytých poznatků o této nové technologii výkonových spínacích tranzistorů.
Konstrukce audio výkonového zesilovače spínané koncepce
Macek, Libor ; Petržela, Jiří (oponent) ; Brančík, Lubomír (vedoucí práce)
Tato práce je rozdělena do čtyř částí. První část se zabývá popisem a vysvětlením obecných principů zesilovačů spínaných koncepcí. V druhé částí práce je praktický návrh zesilovače ve třídě D, popis jednotlivých bloků a výpočty. Součástí návrhu jsou také simulace částí zesilovače v programu PSpice a Filter Free. Ve třetí části práce je rozebrán návrh napájecí jednotky. Poslední část práce je zaměřena na zpracované výsledky měření na prototypu zařízení.
Design of Digital Circuits at Transistor Level
Kešner, Filip ; Šimek, Václav (oponent) ; Vašíček, Zdeněk (vedoucí práce)
Práce se zaměřuje na návrh obvodů na úrovni tranzistorů, především za použití evoluční metody návrhu. Za tímto účelem je nutné volit rozumnou míru abstrakce a tak dosáhnout vyšší rychlosti ohodnocování kandidátních řešení pomocí fitness funkce. Práce probírá již vyzkoušené postupy návrhu obvodů na tranzistorové úrovni a z nich vybírá užitečné prvky pro vytvoření výkonějšího systému, který by byl schopen navrhovat komplexní logické obvody. Dále se práce zabývá implementací tohoto systému a probírá použitý přístup k řešení problémů návrhu a optimilizace tranzistorových obvodů použitím evoluce.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 78 záznamů.   začátekpředchozí59 - 68další  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.