|
|
STRAIN ENGINEERING OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF 2D MATERIALS
del Corro, Elena ; Peňa-Alvarez, M. ; Morales-García, A. ; Bouša, Milan ; Řáhová, Jaroslava ; Kavan, Ladislav ; Kalbáč, Martin ; Frank, Otakar
The research on graphene has attracted much attention since its first successful preparation in 2004. It possesses many unique properties, such as an extreme stiffness and strength, high electron mobility, ballistic transport even at room temperature, superior thermal conductivity and many others. The affection for graphene was followed swiftly by a keen interest in other two dimensional materials like transition metal dichalcogenides. As has been predicted and in part proven experimentally, the electronic properties of these materials can be modified by various means. The most common ones include covalent or non-covalent chemistry, electrochemical, gate or atomic doping, or quantum confinement. None of these methods has proven universal enough in terms of the devices' characteristics or scalability. However, another approach is known mechanical strain/stress, but experiments in that direction are scarce, in spite of their high promises.\nThe primary challenge consists in the understanding of the mechanical properties of 2D materials and in the ability to quantify the lattice deformation. Several techniques can be then used to apply strain to the specimens and thus to induce changes in their electronic structure. We will review their basic concepts and some of the examples so far documented experimentally and/or theoretically.
|
|
|
Ab-initio výpočty stability struktur sloučenin niklu a dusíku
Šárfy, Pavlína ; Vřešťál,, Jan (oponent) ; Šob,, Mojmír (vedoucí práce)
Práce je věnována studiu elektronové struktury nitridů niklu o složení NiN, Ni2N, Ni3N a Ni4N. Získané výsledky jsou využity pro předpověď nejstabilnějších struktur pro každé složení. Celková energie a elektronová struktura jsou počítány pseudopotenciálovou metodou pomocí programu Abinit a dále metodou linearizovaných přidružených vln s úplným zahrnutím krystalového potenciálu (FLAPW), implementovanou v programu Wien2k. Pro výměnnou a korelační energii je použita aproximace lokální hustoty (LDA) a zobecněná gradientová aproximace (GGA). Jako nejstabilnější struktura byla předpovězena pro složení NiN struktura kubická plošně centrovaná B3, pro Ni2N struktura prostá tetragonální C4, pro Ni3N struktura hexagonální v souladu s experimentálními daty a pro Ni4N struktura prostá kubická.
|
|
|
Stabilita karbidů a nitridů železa, kobaltu a niklu z prvních principů
Svatoň, Josef ; Vřešťál, Jan (oponent) ; Šob, Mojmír (vedoucí práce)
Tato práce je věnována stabilitě krystalové struktury karbidů a nitridů kobaltu a niklu a přímo strukturám o složení NiC a CoN. Stabilitou se rozumí v tomto případě nejnižší energetický stav, ve kterém se krystal nachází. Využitím programu ABINIT získáme numerické výsledky elektronových struktur pro predikci stability vybraných struktur. Všechny struktury jsou odvozeny od experimentálních pozorování. Celková energie a elektronová struktura jsou počítány pseudopotenciálovou metodou zahrnutou programem ABINIT. Ve výsledku jsem se dopracoval ke struktuře pro NiC a CoN stejným a to kubické plošně středěné, blejna zinkového.
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
Elektronová struktura slitin india a cínu
Všianská, Monika ; Legut, Dominik ; Šob, Mojmír
Systém InSn je zajímavý tím, že v koncentrační oblasti od 72 do 87 at% Sn při 25 °C and od 73 do 85 at% Sn při -150 °C vykazuje prostou hexagonální strukturu. Tyto slitiny se obvykle nazývají gama-cín. Slitiny InSn jsou neuspořádané v celém koncentračním intervalu. V tomto příspěvku studujeme chování totální energie a elektronovou strukturu systému InSn z prvních principů. K popisu neuspořádanosti používáme zjednodušenou verzi aproximace virtuálního krystalu. Ukazuje se, že tento přístup postihuje některé aspekty fázového složení systému InSn, zejména předpovídá existenci prosté hexagonální struktury v oblasti kolem 80 at% Sn.
|
host ::
RSS.