|
|
Organické materiály pro molekulární kvantové bity: depozice a analýza chemického složení a morfologie vrstev
Komora, Mojmír ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá experimentálnou prípravou a analýzou ultratenkých vrstiev železných phtalocyaninov na povrchu kremíkových substrátov s cieľom popísania parametrov vrstiev pri rôznych podmienkách depozície, ako depozičný čas alebo teplota substrátu. Príprava vzoriek prebiehala pomocou metódy MBE vo vakouvej aparatúre za podmienok ultravysokého vákua. Ako analytické metódy na popis chemického zloženia a morfológie pripravených vrstiev boli zvolené metódy röntgenovej fotoelektrónovej spektroskopie, rastrovacej elektrónovej mikroskopie a mikroskopie atomárnych síl.
|
|
|
Charakterizace optických vlastností InAs nanodrátů
Hošková, Michaela ; Ligmajer, Filip (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na přípravu InAs nanodrátů a jejich následnou optickou charakterizaci. K přípravě nanodrátů je využita výhradně fyzikální depozice z plynné fáze pomocí metody selektivní epitaxe v aparatuře MBE. Jsou optimalizovány růstové podmínky pro tvorbu nanodrátů a jejich rozměry jsou charakterizovány rastrovacím elektronovým mikroskopem. S pomocí konfokální spektroskopie a spektroskopie ztrát energie elektronů je měřena optická odezva a studován vliv geometrie jednotlivých nanodrátů. Motivací je vývoj nové optické metody monitorující nanodráty přímo při růstu v aparatuře MBE.
|
|
|
Příprava ultratenkých vrstev SiN
Dvořák, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována rešeršní studie dosavadních poznatků o nitridu křemíku a jeho aplikaci v polovodičovém průmyslu. Dále byly provedeny první experimenty s depozicemi ultratenkých vrstev Si a SiN. Tyto vrstvy byly analyzovány metodami rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM).
|
|
|
Příprava trojvrstev Ag/Co/Ag
Burda, Pavel ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Bakalářská práce je věnována přípravě a studiu ultratenkých vrstev stříbra a kobaltu. Z těchto materiálů jsou tvořeny vrstvy na křemíkových substrátech. Substráty tvoří povrchově upravený krystalický křemík (SiO2/Si(111), Si(111) ?H, Si(111) 7×7) a amorfní SiO2 ve formě křemenného skla. Růst vrstev je prováděn pomocí epitaxe molekulárním svazkem (MBE) za využití efuzní cely. Na vzorek připravený z uvedených substrátů je postupně deponována vrstva stříbra, poté kobaltu a stříbra. Tloušťka každé vrstvy je 6 nm. Vrstvy jsou studovány užitím metod rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Typ růstu vrstvy se zásadně liší u různých povrchových úprav substrátu. Výsledkem jsou připravené trojvrstvy Ag/Co/Ag na SiO2/Si(111) a Si(111) 7×7, které lze využít v oblasti plazmoniky a lze magnetickým polem ovlivnit chování povrchových plazmonových polaritonů.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Dvořák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.
|
|
|
Studium růstu ultratenkých vrstev Au
Beránek, Jiří ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této práce je studium růstu ultratenkých vrstev zlata. Vrstvy byly připraveny metodou molekolární svazkové epitaxe (Molecular beam epitaxy - MBE) v podmínkách ultravysokého vakua na různě modifikované křemíkové substráty za různých teplot. Následná analýza získaných vzorků byla zaměřena na zjištění tloušťky vrstev (ToF - LEIS) , morfologii (SEM, AFM) a chemické složení vzniklého povrchu (XPS). Vyhodnocení naměřených dat přispívá k popisu a porozumění některým procesům, probíhajícím při depozici zlata a po následném vystavení již hotového vzorku vzorku vysokým teplotám. Dosažené výsledky zároveň poskytují východisko dalším experimentům a potenciálním aplikacím.
|
|
|
Preparation and analysis of nanostructures in UHV conditions
Gloss, Jonáš ; Spousta, Jiří (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
The purpose of this thesis was to study the preparation and analysis of nanostructures in Ultra High Vacuum (UHV) conditions. The theory section has a strong emphasis on Gallium Nitride (GaN) nanostructures. These were then analyzed by Scanning Tunneling Microscope (STM). In order to be able to analyze prepared samples in UHV STM, electrochemical etching of tungsten wire was carried out. This thesis gives an account on how to obtain tungsten tips for STM. The section dealing with tungsten tip fabrication includes description of electrochemical etching principle. Scanning Electron Microscope (SEM) images of etched tips and their further sharpening by Focused Ion Beam (FIB) was carried out. In this work a method for in-situ UHV STM tip revitalization by electron annealing is proposed. It was concluded that it is possible to routinely obtain tungsten tips with apex radius in the order of nanometers.
|
|
|
Optimalizace vysokofrekvenčního atomárního disociačního zdroje pro depozici GaN
Kern, Michal ; Wertheimer, Pavel (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá sprevádzkovaním a optimalizáciou vysokofrekvenčného atomárneho disociačného zdroja dusíka pre depozíciu GaN. Teoretická časť sa zaoberá atomárnymi zdrojmi, rastom ultratenkých vrstiev a problematikou vysokofrekvenčných obvodov, s dôrazom na ich návrh pomocou Smithových diagramov. Taktiež pojednáva o metódach prípravy GaN ultratenkých vrstiev a nanostĺpcov. V experimentálnej časti je popísaný návrh a samotná realizácia rôznych kongurácii vyrovnávacej jednotky impedancie pre atomárny zdroj dusíku. Pomocou tejto vyrovnávacej jednotky bolo dosiahnuté zapálenie dusíkovej plazmy a bolo analyzované jej spektrum. Následne je popísaný návrh a realizácia ovládania vyrovnávacej jednotky pomocou krokových motorov.
|
|
|
Depozice Al a AlN ultratenkých vrstev na křemíkový a grafenový substrát
Řihák, Radek ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou a analýzou ultratenkých vrstev hliníku a nitridu hliníku. Vrstvy byly připraveny depozicí z efuzních cel navržených v rámci předchozí bakalářské práce autora. Jejich konstrukce a testování je v práci rovněž zahrnuta. Experimentálně byly zkoumány vlastnosti hliníkových vrstev na nativním oxidu křemíku, křemíku a grafenu. Rovněž je zde popsána příprava nitridu hliníku pomocí dusíkového iontového zdroje.
|
host ::
RSS.