Název: Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Překlad názvu: Development of the Atom and Ion Beam Sources
Autoři: Tihlařík, Jan ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2010
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V rámci práce byly provedeny depozice GaN ultratenkých vrstev na substrát Si(111)dH za pokojové teploty pro různá nastavení elektrických potenciálů na elektrodách iontově-atomárního zdroje. This text is oriented for problems of creating ion beams. Thesis also describe the impact of ion optics to ion beam profile and preparing GaN layers. Also ion-atom source optimization and analysis of beam properties are there described. Also it was made deposition of GaN ultrathin layers on Si(111)dH at room temperature for different settings of atom-ion source electric electrodes.
Klíčová slova: iontově-atomární svazkový zdroj; optimalizace; proudový profil svazku; příprava GaN vrstev; atom-ion beam source; ion beam profile; optimization; preparing GaN layers

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/1738

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-609691


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce