|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Novák, Jakub ; Jarý, Vítězslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností GaN nanokrystalů a Ga struktur na povrchu křemíkového a grafenového substrátu. V teoretické části této práce jsou popsány základní vlastnosti jak Ga/GaN a grafenu, tak také jejich použití či spojení obou struktur v různých zařízeních. Na několika aplikacích je také diskutována schopnost kovových nanočástic zesilovat nejen fotoluminiscenční vlastnosti díky interakci materiálu s povrchovými plazmony. Experimentální část práce se nejprve zabývá výrobou a charakterizací grafenu připraveného pomocí chemické depozice z plynné fáze. Růst Ga/GaN na obou typech použitého substrátu byl proveden v UHV aparatuře pomocí efúzní cely pro depozici Ga a iotově atomárního zdroje pro nitridaci. Vytvořené struktury byly charakterizovány pomocí různých metod (XPS, SEM, AFM, Ramanova spektroskopie či fotoluminiscence). Vytvořené nanokrystaly GaN byly v posledním kroku ještě pokryty ostrůvky Ga, pro studium fotoluminiscenčního zesílení.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Novák, Jakub ; Jarý, Vítězslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností GaN nanokrystalů a Ga struktur na povrchu křemíkového a grafenového substrátu. V teoretické části této práce jsou popsány základní vlastnosti jak Ga/GaN a grafenu, tak také jejich použití či spojení obou struktur v různých zařízeních. Na několika aplikacích je také diskutována schopnost kovových nanočástic zesilovat nejen fotoluminiscenční vlastnosti díky interakci materiálu s povrchovými plazmony. Experimentální část práce se nejprve zabývá výrobou a charakterizací grafenu připraveného pomocí chemické depozice z plynné fáze. Růst Ga/GaN na obou typech použitého substrátu byl proveden v UHV aparatuře pomocí efúzní cely pro depozici Ga a iotově atomárního zdroje pro nitridaci. Vytvořené struktury byly charakterizovány pomocí různých metod (XPS, SEM, AFM, Ramanova spektroskopie či fotoluminiscence). Vytvořené nanokrystaly GaN byly v posledním kroku ještě pokryty ostrůvky Ga, pro studium fotoluminiscenčního zesílení.
|
|
|
Highly luminescent nanophosphors - new physics, technologies and applications
Nikl, Martin ; Čuba, V. ; Bárta, J. ; Jarý, Vítězslav
The application of radiation synthesis in the manufacturing nanopowders of binary and ternary oxide nanophosphors is reviewed. Technological routes are described: irradiation of specific solutions containing soluble metal salts and OH radical scavenger by UV or ionizing radiation results in the formation of finely dispersed solid phase which is separated from the solution and subsequently converted by further thermal treatment into crystalline nanopowders with typical dimension of grains of several tens of nanometers. Doped ZnO, Y2O3, Y3Al5O12, Lu3Al5O12 and Gd3(Ga,Al)5O12 nanophosphors were prepared and their luminescence and scintillation characteristics were measured. In the photoluminescence decay of doped garnets the distinct effect of nanosized grains was found consisting in the slowing-down of the decay due to the change of effective refractive index.
|
host ::
RSS.