|
|
Growth of graphene by thermal decomposition of silicon carbide for applications in biophysics
Hodoš, Matúš ; Kunc, Jan (vedoucí práce) ; Čechal, Jan (oponent)
Táto bakalárska práca sa bude zaoberať prípravou a charakterizáciou grafénu z práškového substrátu SiC v rôznych podmienkach. V úvode práce budú stručne popísané vlastnosti grafénu. Ďalej predstavíme tri metódy prípravy grafénu, s dôrazom na metódu termálnej dekompozície SiC. Následne budú popísané metódy charakterizácie, ktoré sme použili. V experimentálnej časti budú popísané tri sady grafénových vzoriek, pripravené metódou termálnej dekompozície SiC, každá má premenlivý jeden z faktorov: teplota, čas a okolitá atmosféra. Pripravené vzorky budú následne použité v experimente na kvasinkách. Bude študovaný vplyv grafénu pripraveného v rôznych podmienkach na membránový potenciál a prípadné využitie v biofyzike.
|
|
|
Fabrication and characterization of atomically thin layers
Tesař, Jan ; Kunc, Jan (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
This work is focused on the area of two-dimensional materials, their preparation, and analysis. Probably the most known representative of two-dimensional materials is the graphene. This 2D carbon allotrope, sometimes called the "father of 2D materials", offers an intriguing combination of electrical, thermal, and mechanical properties. Graphene received a lot of attention and has been prepared by many approaches. Still, one preparation method stands superior in the meaning of graphene quality. Mechanical exfoliation is very simple in comparison to other techniques that still produces graphene of the highest quality. The thesis is also focused on the optimization of the process producing heterostructures based upon graphene and hBN layers. The established process yielded multiple van der Waals heterostructures, which were analyzed by Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and low electron energy microscopy. The charge carrier mobility measurements were also accomplished at the GFET setup. Obtained values of mobility demonstrated excelling transport properties of the exfoliated graphene over the graphene prepared by other methods. Thus proving the described creation process as suitable for the preparation of quality heterostructures.
|
|
|
Role vodíku při růstu epitaxního grafénu na SiC
Sýkora, Petr ; Kunc, Jan (vedoucí práce) ; Čechal, Jan (oponent)
Tato práce je zaměřena na přípravu grafenu pomocí epitaxního růstu na křemíkové straně karbidu křemíku. Její úvod je věnován stručnému popisu zajímavých vlastností grafenu a jeho možnému využití. Následně jsou uvedeny metody přípravy se zaměřením na epitaxní růst a vliv vodíku na samotný proces. Dále jsou představeny různé způsoby měření vzorku grafenu a podrobněji rozebrány tři z nich - Ramanova spektroskopie, mikroskopie atomárních sil a měření Hallova jevu. Samotný experiment se zaměřuje na to, jaký vliv má atmosféra složená z argonu a vodíku na růst grafenu. 1
|
|
|
Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory
Vysocký, Filip ; Kunc, Jan (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zaměřuje na přípravu grafenových polem řízených tranzistorů, charakterizaci jejich transportních vlastností v UHV podmínkách a popis vlivu svazku nízkoenergiových elektronů na transportní vlastnosti těchto přístrojů. Teoretická část práce pojednává o metodách výroby grafenu, jejich přenosu na cílový substrát k přípravě grafenových polem řízených tranzistorů, dále jsou zde popsány modely dotování grafenu založené na elektrostatické interakci a osvitu svazkem fotonů nebo elektronů. Experimentální část práce je založena na přípravě grafenových polem řízených tranzistorů k popisu změn transportních vlastností těchto systémů vlivem dotování grafenových vrstev nízkoenergiovým svazkem elektronů v závislosti na energii a proudu svazku.
|
|
|
Graphene doping by low-energy electrons
Stará, Veronika ; Kunc, Jan (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
This diploma thesis studies the remote doping via the low-energy electrons irradiation. Silicon with a SiO2 layer is used as a substrate. Metal Au/Ti contacts are deposited on Si surface using the lithographic mask. Graphene grown by the chemical vapour deposition is used as a conductive connection between the prefabricated metal electrodes that creates source and drain. Back gate electrode is realized by applying voltage to Si. The dependence of graphene resistance on the gate voltage is used to specify the doping type of graphene. We have studied the influence of the beam current, beam energy and gate voltage on the graphene doping type. Additionally the time evolution of graphene transport properties was also measured. Finally, the processes happening inside of the substrate are theoretically described in a doping model.
|
|
|
Nanostructures and Materials for Antiferromagnetic Spintronics
Reichlová, Helena ; Novák, Vít (vedoucí práce) ; Ferguson, Andrew (oponent) ; Kunc, Jan (oponent)
Předmětem této práce jsou dva problémy antiferomagnetické (AFM) spintroniky: manipulace antiferomagneticky uspořádaných momentů a vývoj nových materiálů kombinujících AFM a polovodičové vlastnosti. Jsou prezentovány tři různé metody umožňující manipulaci AFM spinu. První metoda, založena na výměnné interakci na AFM/FM rozhraní, silně závisí na tloušťce AFM a teplotě. Systematicky studujme tyto dva parametry a definujeme podmínky, kdy dochází k manipulaci AFM momentů. Druhou metodou, chlazením AFM v magnetickém poli pod kritickou teplotu, jsme ověřili koncept spintronické součástky založené pouze na AFM (neobsahující FM). Poslední studovaná metoda je založena na proudově indukovaných efektech v nanostrukturách obsahujících AFM. Systematickým studiem vzorku s a bez AFM vrstvy jsme demonstrovali schopnost AFM momentů absorbovat proudově indukovanou torzi. Tato metoda nespoléhá ani na FM ani na chlazení v magnetickém poli a nabízí tak elegantní řešení manipulace AFM momentů. V druhé experimentální části jsou diskutovány nové materiály pro AFM spintroniku a jeden konkrétní příklad, CuMnAs, je studován detailněji. Příprava objemového a epitaxního CuMnAs je prezentována spolu s ukázkou první spintronické funkce tohoto materiálu. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
|
High mobility two-dimensional electron gas in CdTe quantum wells:High magnetic field studies
Kunc, Jan
xxxxxDvourozměrný elektronový plyn v kvantových jamách CdTe:xxxxx studie ve vysokých magnetických polích Tato práce se zabývá experimentálním studiem dvou-dimenzionálního elektronového plynu v kvantových jamách CdTe a CdMnTe. Interpretace dat je podpořena nume- rickými výpočty pásové struktury kvantově omezených stavů použitím aproximace lokální elektronové hustoty a aproximace obálkové funkce. Řešení vlastních stavů Kohn-Luttingerova 4×4 k.p hamiltoniánu vedlo k potvrzení správnosti parabolické aproximace valenčních pásů. Základní charakterizace vzorků proběhla metodami Ramanovy spektroskopie a infračervené absorpce. Magneto-transport v nízkém magnetickém poli ukazuje na dominantní vliv semi-klasické Drudeho vodivosti a taktéž byly pozorovány o tři řády slabší efekty slabé lokalizace, elektron-elektronové interakce a Shubnikov-de Haasových oscilací. Příspěvek elektron-elektronové interak- ce byl taktéž vysvětlen semi-klasickým modelem cirkulujících elektronů. Mimo jiné byl určen tvar a rozšíření Landauových hladin, transportní a kvantová doba života a dominantní rozptylový mechanizmus vodivostních elektronů. Magneto-transport ve vysokém magnetickém poli vykazuje formování zlomkových kvantových Hallových...
|
|
|
High mobility two-dimensional electron gas in CdTe quantum wells:High magnetic field studies
Kunc, Jan ; Grill, Roman (vedoucí práce) ; Smrčka, Ludvík (oponent) ; Knap, Wojciech (oponent)
xxxxxDvourozměrný elektronový plyn v kvantových jamách CdTe:xxxxx studie ve vysokých magnetických polích Tato práce se zabývá experimentálním studiem dvou-dimenzionálního elektronového plynu v kvantových jamách CdTe a CdMnTe. Interpretace dat je podpořena nume- rickými výpočty pásové struktury kvantově omezených stavů použitím aproximace lokální elektronové hustoty a aproximace obálkové funkce. Řešení vlastních stavů Kohn-Luttingerova 4×4 k.p hamiltoniánu vedlo k potvrzení správnosti parabolické aproximace valenčních pásů. Základní charakterizace vzorků proběhla metodami Ramanovy spektroskopie a infračervené absorpce. Magneto-transport v nízkém magnetickém poli ukazuje na dominantní vliv semi-klasické Drudeho vodivosti a taktéž byly pozorovány o tři řády slabší efekty slabé lokalizace, elektron-elektronové interakce a Shubnikov-de Haasových oscilací. Příspěvek elektron-elektronové interak- ce byl taktéž vysvětlen semi-klasickým modelem cirkulujících elektronů. Mimo jiné byl určen tvar a rozšíření Landauových hladin, transportní a kvantová doba života a dominantní rozptylový mechanizmus vodivostních elektronů. Magneto-transport ve vysokém magnetickém poli vykazuje formování zlomkových kvantových Hallových...
|
|
|
Optická spektroskopie feromagnetických polovodičů
Pařízek, Jiří ; Němec, Petr (vedoucí práce) ; Kunc, Jan (oponent)
Nazev prace: Optickd spektroskopie feromagnelickych polovodicu Autor: Jifi Parizek Katedra (ustav): Katedra chemickefyziky a opt iky Vedouci bakalafske prace: RNDr. Petr Nemec, Ph.D. e-mail vedoucfho: nemec@karlov.mff.cuni.cz Abstrakt: Feromagneticke polovodice jsou novym druhem magnetickych maleridlu s velkym aplikacnim potencidlem. Neddvno bylo pozorovdno, ze magnelicke vlastnosti feromagnetickych materidlu mohou hyt ovldddny vysoce energetickymi optickymi pulsy. Tohoto jevu muze byt vyuzito pri zdkladnim vyzkumu magnetickych malerialu a casern tez pro rychle premagnetovani v budoucich spintronickych zarizenich. V teio hakaldrske prdci shrmijeme publikovane vysledky o zfedenych polovodicich (DMS) s diirazem kladenym nafotoindukovatwn precesi magnetizace v (Ga.Mn)As. Ddlejsme popsali nielodu ultrarychle htserove spektroskopie - casove rozlisenou Kerrovu rotaci, kterd je velice efeklivni metodou pro stiidovdni feromagnetickych materialu. V expert mentdlni ctisti teto pracejsme se zamefili na testovdni neddvno po.staveneho drzdku kryostatu, ktery umoznuje presne polohovdni vzorku v magnetickem poll vytvorenem elektromagnetem. Na zdver jsme proved!i teslovaci mereni feromagnetickeho polovodice (Ga,Mn)As. Oscilacni cast signdlu Kerrovy rotace by/a pfisouzena svellem indukovane precesi magnetizace v (Ga,Mn)As....
|
|
| |
host ::
RSS.