|
|
Aplikace programovacího jazyka Python v analýze obrazu a modelování fyzikálních procesů grafenu
Stehlíček, Kamil ; Képeš, Erik (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
V této práci se zaměřujeme na vyhodnocování experimentálních dat pomocí programovacího jazyka Python napříč třemi různými fyzikálními úlohami zabývajícími se grafenem. Cíle práce vycházejí z praktických experimentů, při kterých využíváme gallium či nitrid gallia pro změnu elektrooptických vlastností grafenu nebo experimentů, které vyžadují simulaci šíření náboje v grafenové nanoelektronice. Tyto úlohy postupně využívají analýzu obrazu a numerické simulace. Teoretická část práce slouží jako rešerše a jako uvedení základních algoritmů zpracování obrazu a postupů v oblasti numerických simulací. Praktická část práce se pak zaměřuje na vyhodnocování úspěšnosti jednotlivých programů, jejich implementaci při praktickém vyhodnocení a vysvětlení experimentálních výsledků.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga.
|
|
|
Studium lokálně modifikovaných povrchů pro selektivní růst kobaltu
Krajňák, Tomáš ; Bábor, Petr (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
V této práci se pomocí metody rentgenové fotoelektronové spektroskopie určovala chemická analýza křemíkových substrátů s orientací (1 1 1). Byly využity přístroje XPS Kratos Supra a elektronový mikroskop Tescan LYRA3 s iontovým svazkem FIB ve sdílených laboratořích CEITEC (CF Nano). Povrch použitých substrátů byl lokálně modifikován fokusovaným iontovým svazkem gallia. Byly odprašovány čtvercové plochy o nominálních hloubkách od 1 nm do 10 nm. Dále byl studován vliv žíhání na takto modifikované oblasti. Výstupem této práce je určení závislostí intenzit Si 2p a Ga 2p3/2. Byla určena závislost intenzit těchto píků na nominální hloubce odprášených ploch a vliv teploty na tyto plochy. XPS analýza povedená po modifikaci substrátu fokusovaným iontovým svazkem odhalila přítomnost gallia a další složku píku Si 2p. Tato komponenta byla přiřazena amorfnímu křemíku. Veškeré gallium bylo ze vzorku odstraněno při žíhání vzorku na teplotě 700 °C po dobu 120 minut.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
|
|
|
Příprava grafenových membrán vhodných pro depozici Ga
Severa, Jiří ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá výrobou grafenových membrán, jenž by byly vhodné pro depozici atomů gallia. V první části charakterizujeme grafen. Druhá část je zaměřena na přípravu a zlepšení kvality procesu výroby grafenových vrstev pomocí atomárně hladkých Cu fólií. Ve třetí části jsou popsány grafenové membrány, techniky jejich výroby a specifické aplikace grafenových membrán. Ve čtvrté části je představeno rozhraní mezi galliovými a grafenovými vrstvami. Pátá část je praktická. Byl proveden růst grafenových vrstev na různých Cu fóliích, to vedlo k vyšší kvalitě grafenu rostlých na atomárně hladkých fóliích. Následně byla provedena výroba grafenových membrán a depozice atomů gallia.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
| |
|
|
Selektivní růst GaN na SiN
Hulva, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na této vrstvě jsou litografickou metodou lokální anodické oxidace (LAO) připraveny oxidové struktury. Tyto substráty mohou být dále modifikovány odleptáním oxidových struktur kyselinou fluorovodíkovou. Modifikované substráty jsou použity pro depozici gallia nebo gallium nitridu v podmínkách ultravysokého vakua. Poté je studováno uspořádávání deponovaného materiálu v oblastech povrchů modifikovaných LAO. Chemické složení vrstev je studováno pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a úhlově závislé XPS (AR-XPS), morfologie povrchů je měřena pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM).
|
|
|
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Dvořák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.
|
|
| |
host ::
RSS.