Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 39,639 záznamů.  začátekpředchozí39587 - 39596dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách
Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel
Elektrooptická charakterizace polovodičových laserů s velmi tenkými napjatými InAs vrstvami v GaAs. Lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízké prahové proudy a jsou schopné pracovat při zvýšených teplotách
Kvantově rozměrné struktury pro fotoniku a elektroniku, připravené pomocí MOVPE
Mačkal, Adam
Studium strukturálních a elektrooptických vlastností laserů s InAs multivrstvami připravených pomocí MOVPE
Lasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence
Mačkal, Adam
Příspěvek obsahuje elektroluminiscenční, fotoabsorpční a polarizační vlastnosti polovodičových laserů s tenkými napjatými vrstvami InAs v GaAs při zvýšených teplotách (nad 25.sup.o./sup. C). Tyto lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízkou prahovou proudovou hustotu a široký obor pracovních teplot
Využití opticky zachycené sondy pro studium velmi slabých interakcí na molekulární úrovni - přehled
Zemánek, Pavel ; Jonáš, Alexandr
Dielektrická částice mikrometrových rozměrů, která je zachycena v optické pasti, může být využita jako sonda pro měření sil v rozsahu od jednotek pikonewtonů po stovky pikonewtonů. Pokud je tedy na takovou sondu navázán biologický systém (např. molekula DNA, myosinu nebo kinesinu, buněčná membrána), jeho mechanické a dynamické vlastnosti mohou být studovány s neobyčejnou přesností během interakce s okolním prostředím. Tento článek shrnuje základní principy laserového zachytávání objektů a měření velmi slabých sil a ilustruje na několika příkladech jejich obrovský potenciál při neinvazivním zkoumání dynamiky molekulárních systémů
Zkoumání elektronických struktur a materiálů v rastrovacím nízko-energiovém elektronovém mikroskopu (SLEEM)
Müllerová, Ilona ; Frank, Luděk
Režim SLEEM, který je v běžném SEM k dispozici po menší adaptaci, umožňuje dosažení téměř konstantního obrazového rozlišení v celém energiovém rozsahu od energie primárních elektronů až do zlomku eV. Takto je možné studovat mnoho nových kontrastních mechanizmů přímo zviditelňujících detaily krystalických a elektronických struktur vzorku, které jsou důležité zejména ve vývoji a diagnostice nano-strukturních materiálů a prvků
Měření čerpací rychlosti kryovývěvy pomocí kalibrované heliové netěsnosti
Urban, Pavel ; Dupák, Jan ; Hanzelka, Pavel ; Králík, Tomáš ; Musilová, Věra
Článek popisuje použití heliové kalibrované netěsnosti k měření čerpací rychlosti malé heliové lázňové kryovývěvy. Čerpací rychlost byla měřena pro dva typy vstupních radiačních přepážek kryovývěvy. Výsledky měření byly srovnány s výpočty metodou Monte Carlo
Emisivita a absorptivita tepelného záření povrchů konstrukčních kovů za velmi nízkých teplot
Musilová, Věra ; Hanzelka, Pavel ; Králík, Tomáš ; Srnka, Aleš
V práci je uvedeno porovnání absorptivit tepelného záření pro povrchy několika kovových konstrukčních materiálů užívaných v kryogenice. Měřili jsme teplo absorbované rovinnými povrchy Cu, Al a nerezové oceli chlazenými na teplotu 5 až 10 K. Zdrojem tepla byl černý povrch umístěný paralelně v malé vzdálenosti od testovaného povrchu. Výsledkem našich měření jsou závislosti absorptivity na teplotě záření v rozsahu teplot 30 K až 140 K. Závislosti jsou presentovány pro různé úpravy povrchů kovů, např. chemické a mechanické leštění, žíhání a ukazují vliv těchto úprav na přenos tepla zářením za velmi nízkých teplot
Zařízení pro měření tepelné emisivity při nízkých teplotách
Králík, Tomáš ; Hanzelka, Pavel ; Musilová, Věra ; Srnka, Aleš
V popsaném zařízení se měří tepelná emisivita nebo absorptivita vzorku substitucí toku tepla zářením mezi dvěma rovnoběžnými povrchy tepelným výkonem topení. Je možné provádět rychlá měření vzájemné emisivity v rozsahu teplot zářícího povrchu 25 K- 150 K. Absorbující povrch má teplotu 5 K - 10 K, je-li k chlazení použito LHe. Dosahovaná citlivost měření je 1mK pro teplotu nebo 0,1 mikroW pro tepelný výkon. Celkový průměr zařízení je 50 mm a k chlazení lze použít komerčně dostupnou Dewarovu nádobu. Vzorek má tvar disku o průměru 40 mm o tloušťce 1 mm s jednou měřenou stranou. Lze měřit emisivitu a její teplotní závislost pro různé úpravy povrchů bezprostředně před jejich použitím v kryogenním zařízení
Analýza a vývoj aplikace optimálního spojení a optimálních cest v grafu pro podporu výuky teorie grafů
Nevoral, Josef ; Chlapek, Dušan (vedoucí práce) ; Flusserová, Lenka (oponent)
Práce analyzuje současné aplikační podpory výuky teorie grafů na ekonometrické fakultě Vysoké školy ekonomické. Cílem práce je vyvinout aplikaci, která bude studentům sloužit k lepšímu pochopení základních algoritmů pro hledání optimálního spojení a optimálních cest. Před vývojem jakékoli aplikace je vhodné věnovat čas analýze požadavků kladených na aplikaci a analýze již existujících řešení. Tomuto tématu jsou v práci věnovány dvě kapitoly. Případní čtenáři se při čtení práce seznámí se základními pojmy a algoritmy teorie grafů. Dozví se, jaká možná rozšíření aplikace umožňuje. Dále jak aplikace vypadá a jak řeší zobrazení výsledků.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 39,639 záznamů.   začátekpředchozí39587 - 39596dalšíkonec  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.