National Repository of Grey Literature 35 records found  previous11 - 20nextend  jump to record: Search took 0.00 seconds. 
Electron tweezer
Štubian, Martin ; Šik, Ondřej (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
Táto práca sa zaoberá novým spôsobom manipulácie mikro a nano objektov, konkrétne tekutých AuGe ostrovčekov pomocou elektrónového zväzku. V prvej časti je diskutovaný mechanizmus manipulácie, je popísaný princíp a ďalej sú uvedené experimenty a simulácie potvrdzujúce tento princíp. Druhá časť práce sa zaoberá využitím uvedenej manipulácie k tvorenie mikro/nano štruktúr.
Surface modification by nano-droplets controlled by electron tweezers
Dao, Radek ; Šik, Ondřej (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This master's thesis is focused on the study of the consequences of electron beam induced motion of Au-Ge alloy nanodroplets on germanium surface. The text consists of two parts. The theoretical part gives an overview of measurement and fabrication techniques used for the experiments. The description of these techniques is mainly focused on topics needed to understand the ideas behind the experiments and their results. The topics covered here are the Atomic Force Microscopy, Scanning Electron Microscopy and Electron Beam Lithography. These are followed by an introduction to the gold-germanium material system and the movement of Au-Ge alloy nanodroplets. The practical part gives a roughly chronological guide throughout the whole experimental process, including the search for a suitable sample fabrication method, the surface modification itself and its measurement. Temperature calibration of the heating system is also mentioned.
Fabrication of nanostructures using wet chemical etching
Musálek, Tomáš ; Šamořil, Tomáš (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
This bachelor's thesis deals with wet anisotropic etching of silicon and germanium. Two different approaches to the formation of anisotropic etch pits are shown. The supporting activities required for etching procedure are described. Especially, preparation of mask by electron beam litography, etching of SiO2 resp. GeO2 and application of metal particles.
Preparation of Thin Films by Electrochemical Methods
Kaválek, Ondřej ; Studničková, Marie (referee) ; Janderka, Pavel (referee) ; Sedlaříková, Marie (advisor)
The doctoral theses deal with electrochemical deposition of lead, tin, silicon and germanium from aprotic electrolytes in anhydrous inert atmosphere. Deposited layers are studied from the perspective of their surface and of electrochemical characteristics.
Passivation of germanium surface using ALD
Kuba, Jakub ; Polčák, Josef (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
The thesis deals with passivation of germanium surfaces by chemical etching and atomic layer deposition (ALD). Attention was paid to the rate of oxidation of germanium surfaces after selected passivation methods and the composition of the germanium suboxides. In the thesis selected methods for germanium oxide removal are reviewed and a brief description of the methods used for analysis (XPS) and thin film deposition (ALD) is given.
Electron beam modification of nanostructure growth
Kilian, Jakub ; Voborný, Stanislav (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This bachelor's thesis focuses on the further development of a method for modifying the surface of germanium using alloy Au-Ge droplets. A focused electron beam, which is brought in close proximity to the droplet, is utilized for thermomigration-induced motion of the droplets. The thesis is divided into two parts. The first part is dedicated to explaining the fundamental principles that are essential for a proper understanding of the conducted experiments. The theoretical overview also includes an introduction to the individual instruments utilized in the experimental section. In the practical part, the movement of Au-Ge droplets and the resulting surface morphology left by the droplets' passage were initially examined. The remaining portion of the practical research concentrated on utilizing the focused electron beam for controlled growth of nanowires in the VLS process.
Towards highly-doped Ge and ZnO nanowires: Growth, characterization and doping level analysis
Pejchal, Tomáš ; Mikulík,, Petr (referee) ; Grym,, Jan (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
Vysoce dopovaná polovodičová nanovlákna představují nadějnou třídu nanostruktur pro budoucí aplikace v elektronice, optoelektronice nebo bio-senzorice. Tato práce se zaměřuje na přípravu a charakterizaci nanovláken germania a oxidu zinečnatého s cílem dosáhnout vysoké úrovně dopování. Úvodní část dizertační práce se zabývá přípravou germaniových nanovláken metodou VLS (pára – kapalina – pevná látka). Nejprve jsou popsány faktory ovlivňující růst nanovláken a jejich morfologii – složení katalytické částice, vliv adsorbovaných atomů či molekul a potenciální inkorporace atomů katalyzátoru do objemu nanovláken. Nanovlákna připravená ze zlatých katalytických nanočástic v podmínkách ultravysokého vakua (tzv. MBE metodou) a za přítomnosti atomárního vodíku (proces napodobující podmínky CVD metod) vykazují odlišnou morfologii a směr růstu. Tyto rozdíly odhalují kombinovaný účinek adsorpce atomárního vodíku a šíření zlatého katalyzátoru na stěny nanovláken. Tento efekt je klíčový pro vysvětlení rozdílů ve výsledné morfologii nanovláken připravených MBE a CVD metodami. Další část práce se věnuje přípravě Ge nanovláken z katalyzátorů obsahujících prvky III. skupiny a studiu jejich případné inkorporace, která by mohla vést k dopování nanovláken. Bylo zjištěno, že in-situ připravené směsné Au–Ga nanočástice lze úspěšně využít pro růst germaniových nanovláken, přestože stabilita katalyzátoru je nižší než v případě čistého zlata. I přes vysokou koncentraci gallia v katalytické částici nebyla pozorována inkorporace gallia do objemu nanovlákna. Tato metoda dopování nanovláken se tedy pro uvedenou materiálovou kombinaci ukázala jako nevhodná. Ve třetí části práce jsou popsány výsledky charakterizace ZnO nanodrátů a vývoj metody jejich difuzního dopování galliem. Je prokázán vliv žíhání nanodrátů na koncentraci kyslíkových vakancí (VO) – ve srovnání s žíháním v podmínkách vysokého vakua se koncentrace VO snižuje žíháním v plynném peroxidu vodíku. Dále je zdokumentována inkorporace gallia do ZnO nanodrátů při teplotě nad 350 °C – pozorováno pomocí in-situ SEM. Při teplotě nad 450 °C dochází ke galliem indukované dekompozici ZnO nanodrátů. K určení koncentrace a prostorového rozložení Ga atomů v nanovláknech je využito teoretického difuzního modelu a STEM EDS měření nanovláken. Byla nalezena korelace mezi koncentrací kyslíkových vakancí a inkorporací gallia do objemu ZnO nanovláken. Koncentrace gallia dosahuje řádově 10^21 cm^-3, což dokazuje vhodnost použité metody pro dosažení vysokých úrovní dopování, které jsou potřebné pro budoucí bio-senzorické aplikace v infračervené oblasti.
Surface modification by nano-droplets controlled by electron tweezers
Dao, Radek ; Šik, Ondřej (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This master's thesis is focused on the study of the consequences of electron beam induced motion of Au-Ge alloy nanodroplets on germanium surface. The text consists of two parts. The theoretical part gives an overview of measurement and fabrication techniques used for the experiments. The description of these techniques is mainly focused on topics needed to understand the ideas behind the experiments and their results. The topics covered here are the Atomic Force Microscopy, Scanning Electron Microscopy and Electron Beam Lithography. These are followed by an introduction to the gold-germanium material system and the movement of Au-Ge alloy nanodroplets. The practical part gives a roughly chronological guide throughout the whole experimental process, including the search for a suitable sample fabrication method, the surface modification itself and its measurement. Temperature calibration of the heating system is also mentioned.
Electron tweezer
Štubian, Martin ; Šik, Ondřej (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
Táto práca sa zaoberá novým spôsobom manipulácie mikro a nano objektov, konkrétne tekutých AuGe ostrovčekov pomocou elektrónového zväzku. V prvej časti je diskutovaný mechanizmus manipulácie, je popísaný princíp a ďalej sú uvedené experimenty a simulácie potvrdzujúce tento princíp. Druhá časť práce sa zaoberá využitím uvedenej manipulácie k tvorenie mikro/nano štruktúr.
Relation between optical and microscopic properties of hydrogenated silicon thin films with integrated germanium and tin nanoparticles
Stuchlík, Jiří ; Stuchlíková, The-Ha ; Čermák, Jan ; Kupčík, Jaroslav ; Fajgar, Radek ; Remeš, Zdeněk
The hydrogenated amorphous silicon layers (a-Si:H) were deposited by PECVD method on quartz substrates. During interruption of PECVD process the vacuum chamber was pumped up to 10-5 Pa and 1 nm thin films of Germanium or Tin were evaporated on the surface. The materials form isolated nanoparticles (NPs) on the a-Si:H surface. Then the deposited NPs were covered and stabilized by a-Si:H layer by PECVD. Those two deposition processes were alternated 5 times. The a-Si:H thin films with integrated Ge or Sn NPs were characterized optically by PDS and CPM methods, and microscopically by SEM and AFM microscopies. Optical and microscopic properties of the structures are correlated and discussed considering their application in photovoltaics.\n

National Repository of Grey Literature : 35 records found   previous11 - 20nextend  jump to record:
Interested in being notified about new results for this query?
Subscribe to the RSS feed.