Název: Tvorba nanostruktur a nanosoučástek pro oblast nanoelektroniky a spintroniky
Překlad názvu: Fabrication of Nanostructures and Nanodevices for Nanoelectronics and Spintronics
Autoři: Lišková, Zuzana ; Červenka, Jiří (oponent) ; Čech, Vladimír (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Disertační práce
Rok: 2015
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Práce pojednává o vytváření grafenových nanostruktur a jejich aplikacích při měření transportních vlastností grafenu. Na vyrobených exfoliovaných šupinkách grafenu, CVD grafenových vrstvách a zrnech jsou vytvářeny kontakty litografií elektronovým svazkem pro měření jejich odporu. Grafen je rovněž stejnou metodou tvarován. Rezistivita vrstvy, koncentrace a pohyblivost nosičů náboje jsou stanoveny pomocí různých přístupů. Diskutována je také hystereze objevující se v závislosti rezistivity na hradlovém napětí. Významná část práce je věnována sledování odezvy odporu grafenu na změnu relativní vlhkosti prostředí a případnému využití grafenu jako senzoru relativní vlhkosti. The thesis deals with preparation of graphene nanostructures and their applications in the measurement of transport properties of graphene. The contacts for measurement of resistance are fabricated by electron beam lithography on graphene exfoliated flakes, CVD graphene layers and grains. Graphene is also shaped using the same method. Resistivity of the layer, concentration and mobility of charge carriers are determined by different approaches. Hysteresis appearing in dependence of resistivity on the gate voltage is discussed as well. A significant part of the work is dedicated to monitoring the response of graphene resistance to relative humidity changes and potential use of graphene as a sensor of relative humidity.
Klíčová slova: grafen; grafenový polem řízený tranzistor; hystereze; litografie elektronovým svazkem; měření rezistivity; senzor relativní vlhkosti; electron beam lithography; graphene; graphene field effect transistor; hysteresis; relative humidity sensor; resistivity measurement

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/51848

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-599917


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Disertační práce