Název: Modelování a návrh ESD ochran v integrovaných obvodech
Překlad názvu: Modelling and Design of the IC`s ESD Protection Structures
Autoři: Běťák, Petr ; Sládek,, Petr (oponent) ; Bartoň,, Zdeněk (oponent) ; Musil, Vladislav (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Disertační práce
Rok: 2009
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Disertační práce představuje nové polovodičové struktury, které lze použít jako elektrostatické ochrany v integrovaných obvodech. Základem pro návrh zmíněných struktur se stala horizontální čtyřvrstvá tyristorová struktura, která byla dále modifikována tak, aby umožňovala variabilitu spouštěcího a udržovacího napětí v závislosti na rozměrech masky. Na základě výsledků z modelování byly vyrobeny vzorky těchto struktur a jejich vlastnosti byly ověřeny měřením. Dále byly Další navrženou ochranou byl systém s bipolárním tranzistorem jako spínačem elektrostatické ochrany. Tento přístup byl simulován a ověřován na vyrobených vzorcích. Výhody a nevýhody představených ochran jsou v práci rozebrány. The thesis introduces new semiconductor structures that are used as protections against Electrostatic Discharge occuring in integrated circuits. The fundamental structure for modeling and simulation has been lateral Silicon Controlled Rectifier. This SCR structure has been modificated to enable tuning of the triggering and holding voltages by changing geometrical mask dimensions. On the base of modeling and simulation the new proposed structures have been published. Also several protection structures have been designed to be manufactured and measured on a testchip. The final electrical behavior has been verified by measurement. Finally, the focus has been aided to protection circuit with bipolar transistor. This approach has been also simulated and verified by measurement. Advantages and disadvantages of the proposed protection structures are commented in the thesis.
Klíčová slova: DIAC; ESD; HVASCR; LVTSCR; SCR; TRIAC; tyristor; VLSCR; DIAC; ESD; HVASCR; LVTSCR; SCR; TRIAC; tyristor; VLSCR

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/3938

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-581759


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Disertační práce