Název: Zesilovače s unipolárními tranzistory JFET a MOSFET pro laboratorní výuku
Překlad názvu: Single stage amplifiers employing JFET and MOSFET for educational laboratory purposes
Autoři: Šimek, Dominik ; Petržela, Jiří (oponent) ; Langhammer, Lukáš (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2019
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Bakalářská práce se zabývá návrhem a realizací přípravku pro měření zesilovačů s unipolárními tranzistory, který bude využit v rámci laboratorní výuky. Cílem práce je vytvořit komplexní přípravek, který poskytne prostředek k měření základních charakteristik zesilovače v zapojení se společným Drainem, společným Sourcem i společným Gatem. Čímž pomůže studentům ke snazšímu pochopení principů unipolárních tranzistorů. Deska plošných spojů přípravku bude tvořena zapojeními zesilovačů s MOSFETy a JFETy, přičemž bude možné si vybrat, zda chceme měřit tranzistor s typem kanálu N či typem kanálu P. Samotný návrh je podložen rozborem základních teoretických vlastností unipolárních tranzistorů, výpočty a simulacemi, které jsou též součástí práce. Bachelor thesis deals with design and construction of measuring box for amplifiers with unipolar transistors, which will be used within laboratory classes. The point of the thesis is to create a complex instrument, which offers system used for measuring of essential characteristics of common-drain, common-source and/or common-gate amplifiers. It will help students to more easily understand principle of unipolar transistors. The printed circuit board will contain amplifier circuits with MOSFET and JFET transistors, with option to switch between measuring N-type or P-type channel transistor. The design itself is substantiated by analysis of essential theoretical properties of unipolar transistors, by numerical calculations, and simulations, which are also parts of the thesis.
Klíčová slova: JFET; MOSFET; společný Drain; společný Gate; společný Source; Unipolární tranzistory; common Drain; common Gate; common Source; Field-effect transistor; JFET; MOSFET

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/173667

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-577637


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce