Název: Studium dielektrických vlastností krystalů perovskitů
Překlad názvu: Study of the dielectric properties of perovskite crystals
Autoři: Mlčkovová, Hana ; Pospíšil, Jan (oponent) ; Zmeškal, Oldřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2021
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická
Abstrakt: [cze] [eng]
Předložená diplomová práce se zabývá přípravou monokrystalů perovskitů metodou inverzní teplotní krystalizace a následným studiem základních vlastností těchto hybridních organicko-anorganických materiálů, které mohou být využity v různých optoelektronických (fotodetektory, tranzistory, lasery, LED diody) či fotovoltaických aplikacích. Studováno bylo jejich chování v elektrickém poli metodou impedanční spektroskopie. Změřeny byly impedanční a kapacitně-napěťové (C-V) charakteristiky (frekvenční závislosti) za tmy a za světla. Z impedančních závislostí pro měření při 0 V napětí za tmy byl modelován ekvivalentní obvod a stanoveny jeho parametry a dielektrická konstanta. Z C-V závislostí byly Mott-Schottkyho analýzou stanoveny parametry – „flat-band“ potenciál U_"fb" a hustota nosičů náboje N_"C-V" , dále byl zjištěn parametr – tzv. Warburgův koeficient, který spolu s parametrem N_"C-V" byl použit k výpočtu difúzního koeficientu D. The presented diploma thesis deals with the preparation of perovskite single crystals by inverse thermal crystallization and subsequent study of the basic properties of these hybrid organic-inorganic materials that can be used in various optoelectronic (photodetectors, transistors, lasers, LEDs) or photovoltaic applications. Their behavior in the electric field was studied by impedance spectroscopy. Impedance and capacitance-voltage (C-V) characteristics (frequency dependences) were measured in the dark and in the light. From the impedance dependences for measurements at 0 V voltage in the dark, the equivalent circuit was modeled and its parameters and dielectric constant were determined. From the C-V dependence, Mott-Schottky analysis determined the parameters – "flat-band" potential U_"fb" and charge carrier density N_"C-V" , the parameter – the so-called Warburg coefficient was found, which together with the parameter N_"C-V" was used to calculate the diffusion coefficient D.
Klíčová slova: Cole-Cole diagramy; impedance; impedanční spektroskopie; kapacitně-napěťové charakteristiky; MAPbBr3; MAPbCl3; Mott-Schottky analýza; permitivita; perovskity; capacitive-voltage characteristics; Cole-Cole diagrams; impedance; impedance spectroscopy; MAPbBr3; MAPbCl3; Mott-Schottky analysis; permittivity; perovskite

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/199755

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-577406


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce