Original title: Studium dielektrických vlastností krystalů perovskitů
Translated title: Study of the dielectric properties of perovskite crystals
Authors: Mlčkovová, Hana ; Pospíšil, Jan (referee) ; Zmeškal, Oldřich (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2021
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická
Abstract: [cze] [eng]
Předložená diplomová práce se zabývá přípravou monokrystalů perovskitů metodou inverzní teplotní krystalizace a následným studiem základních vlastností těchto hybridních organicko-anorganických materiálů, které mohou být využity v různých optoelektronických (fotodetektory, tranzistory, lasery, LED diody) či fotovoltaických aplikacích. Studováno bylo jejich chování v elektrickém poli metodou impedanční spektroskopie. Změřeny byly impedanční a kapacitně-napěťové (C-V) charakteristiky (frekvenční závislosti) za tmy a za světla. Z impedančních závislostí pro měření při 0 V napětí za tmy byl modelován ekvivalentní obvod a stanoveny jeho parametry a dielektrická konstanta. Z C-V závislostí byly Mott-Schottkyho analýzou stanoveny parametry – „flat-band“ potenciál U_"fb" a hustota nosičů náboje N_"C-V" , dále byl zjištěn parametr – tzv. Warburgův koeficient, který spolu s parametrem N_"C-V" byl použit k výpočtu difúzního koeficientu D. The presented diploma thesis deals with the preparation of perovskite single crystals by inverse thermal crystallization and subsequent study of the basic properties of these hybrid organic-inorganic materials that can be used in various optoelectronic (photodetectors, transistors, lasers, LEDs) or photovoltaic applications. Their behavior in the electric field was studied by impedance spectroscopy. Impedance and capacitance-voltage (C-V) characteristics (frequency dependences) were measured in the dark and in the light. From the impedance dependences for measurements at 0 V voltage in the dark, the equivalent circuit was modeled and its parameters and dielectric constant were determined. From the C-V dependence, Mott-Schottky analysis determined the parameters – "flat-band" potential U_"fb" and charge carrier density N_"C-V" , the parameter – the so-called Warburg coefficient was found, which together with the parameter N_"C-V" was used to calculate the diffusion coefficient D.
Keywords: capacitive-voltage characteristics; Cole-Cole diagrams; impedance; impedance spectroscopy; MAPbBr3; MAPbCl3; Mott-Schottky analysis; permittivity; perovskite; Cole-Cole diagramy; impedance; impedanční spektroskopie; kapacitně-napěťové charakteristiky; MAPbBr3; MAPbCl3; Mott-Schottky analýza; permitivita; perovskity

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/199755

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-577406


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses