Název:
Kalibrace metody SIMS pomocí implantačních profilů
Překlad názvu:
Calibration of SIMS method by implantation profiles
Autoři:
Janák, Marcel ; Průša, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2019
Jazyk:
slo
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [slo][eng]
Táto bakalárska práca je zameraná na kvantitatívnu analýzu zastúpenia dopantov (C, H, Mg, O) v tranzistoroch AlGaN HEMT, vyrábaných metódou MOCVD, pomocou zariadenia TOF.SIMS 5 s céziovým a kyslíkovým odprašovaním. Dôvodom vývoja RSF metódy kvantifikácie merania SIMS sú ťažko predvídateľné javy preferenčného odprašovania a matricového efektu. Kalibračné vzorky, pripravené metódou iónovej implantácie do homogénnych a periodických štruktúr III-nitridov AlN a GaN, reprodukujeme simuláciou v programe ión-atómovej interakcie TRIM. Súčasťou práce je taktiež kvantifikácia matrice (AlGaN).
This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.
Klíčová slova:
AlGaN HEMT; cesium sputtering; dopant; III Nitrides; ion implantation; matrix effect; MOCVD; oxygen sputtering; preferential sputtering; Quantitative analysis; RSF method; TOF.SIMS 5; TRIM
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/179359