Original title:
Kalibrace metody SIMS pomocí implantačních profilů
Translated title:
Calibration of SIMS method by implantation profiles
Authors:
Janák, Marcel ; Průša, Stanislav (referee) ; Bábor, Petr (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2019
Language:
slo Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[slo][eng]
Táto bakalárska práca je zameraná na kvantitatívnu analýzu zastúpenia dopantov (C, H, Mg, O) v tranzistoroch AlGaN HEMT, vyrábaných metódou MOCVD, pomocou zariadenia TOF.SIMS 5 s céziovým a kyslíkovým odprašovaním. Dôvodom vývoja RSF metódy kvantifikácie merania SIMS sú ťažko predvídateľné javy preferenčného odprašovania a matricového efektu. Kalibračné vzorky, pripravené metódou iónovej implantácie do homogénnych a periodických štruktúr III-nitridov AlN a GaN, reprodukujeme simuláciou v programe ión-atómovej interakcie TRIM. Súčasťou práce je taktiež kvantifikácia matrice (AlGaN).
This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.
Keywords:
AlGaN HEMT; cesium sputtering; dopant; III Nitrides; ion implantation; matrix effect; MOCVD; oxygen sputtering; preferential sputtering; Quantitative analysis; RSF method; TOF.SIMS 5; TRIM
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/179359