Název: Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Překlad názvu: The deposition of Ga and GaN nanostructures on silicon and graphene substrate
Autoři: Mareš, Petr ; Hospodková,, Alice (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2014
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje. Presented thesis is focused on the study of properties of Ga and GaN nanostructures on graphene. In the theoretical part of the thesis a problematics of graphene and GaN fabrication is discussed with a focus on the relation of Ga and GaN to graphene. The experimental part of the thesis deals with the depositions of Ga on transferred CVD-graphene on SiO2. The samples are analyzed by various methods (XPS, AFM, SEM, Raman spectroscopy, EDX). The properties of Ga on graphene are discussed with a focus on the surface enhanced Raman scattering effect. Furthermore, a deposition of Ga on exfoliated graphene and on graphene on a copper foil is described. GaN is fabricated by nitridation of the Ga structures on graphene. This process is illustrated by the XPS measurements of a distinct Ga peak and the graphene valence band during the process of nitridation.
Klíčová slova: gallium; grafen; nitrid gallia; nitridace; SERS; gallium; gallium nitride; graphene; nitridation; SERS

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/34114

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-547713


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce