host ::
přihlásit
Digitální repozitář
Hledej
Nový záznam
Nápověda
O repozitáři
Hlavní stránka
>
Vysokoškolské kvalifikační práce
>
Diplomové práce
> Metody měkkého spínání a optimalizace výstupní části budiče MOSFET tranzistorů
Informace
Soubory
Název:
Metody měkkého spínání a optimalizace výstupní části budiče MOSFET tranzistorů
Překlad názvu:
Soft-switching Methods and Optimization of Output Stage of MOSFET Driver
Autoři:
Trojan, Vladimír
;
Pavlík, Michal
(oponent) ;
Prokop, Roman
(vedoucí práce)
Typ dokumentu:
Diplomové práce
Rok:
2023
Jazyk:
cze
Nakladatel:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt:
[cze]
[eng]
Diplomová práce se zabývá návrhem a porovnáním metod optimalizace zapojení koncového stupně budiče MOSFET za účelem snížení rozkmitu napětí na parazitní sériové indukčnosti vývodů pouzdra budiče MOSFET. Navržené metody optimalizace jsou realizovány na čipu a zapojeny do pouzdra SOIC-16. Dále je pak v rámci této práce navržena testovací DPS, na kterou jsou osazeny realizované testovací struktury. Pomocí měřicí sestavy jsou následně zjišťovány reálné parametry navržených metod optimalizace. Návrh metod optimalizace probíhal v prostředí Cadence Virtuoso a testovací DPS byla realizována za pomoci programu Autodesk EAGLE.
The diploma thesis deals with design and comparison of optimization methods for the circuit of output stage of the MOSFET gate driver, in order to reduce voltage swing induced on the parasitic series inductance of output terminals of the MOSFET gate driver package. The proposed optimization methods are implemented on-chip and integrated into an SOIC-16 package. Implemented test structures are then mounted on test PCB, which is designed as part of the thesis. The real parameters of the proposed optimization methods are then determined using the measurement setup. The design of the optimization methods was carried out in Cadence Virtuoso environment and the test PCB was designed using the Autodesk EAGLE program.
Klíčová slova:
aproximace parazitních vlastností DPS
;
budič MOSFET
;
diskrétní výkonový MOSFET
;
metody optimalizace budiče MOSFET
;
měkké spínání
;
měření reálných parametrů
;
návrh DPS
;
optimalizace di/dt
;
optimalizace rozkmitu napětí na parazitní indukčnosti
;
parazitní sériová indukčnost vývodů pouzdra
;
Spínání MOSFET
;
testovací DPS
;
approximation of PCB parasitic properties
;
di/dt optimization
;
discrete power MOSFET
;
MOSFET gate driver
;
MOSFET switching
;
optimization methods of MOSFET gate driver
;
optimization of voltage swing on parasitic series inductance
;
parasitic series inductance of package terminals
;
PCB design
;
soft-switching
;
test PCB
Instituce:
Vysoké učení technické v Brně (
web
)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam:
http://hdl.handle.net/11012/210143
Trvalý odkaz NUŠL:
http://www.nusl.cz/ntk/nusl-526646
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství
>
Veřejné vysoké školy
>
Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce
>
Diplomové práce
Záznam vytvořen dne 2023-06-18, naposledy upraven 2023-06-25.
Podobné záznamy
Není přiložen dokument
Exportovat ve formátu
DC
,
NUŠL
,
RIS
Sdílet