Název: Charakteristiky polovodičového BSE detektoru elektronového mikroskopu
Překlad názvu: Characteristics of semiconductor BSE electron microscope detector
Autoři: Plot, Vítězslav ; Hubálek, Jaromír (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2023
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Práce se zabývá charakterizací polovodičového detektoru zpětně odražených elektronů. Teoretická část popisuje dva typy elektronových mikroskopů, interakci primárního svazku se vzorkem a jednotlivé druhy elektronů a záření vznikající při interakci. Dále jsou shrnuty nejpoužívanější typy detektorů elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Jsou popsány základní charakteristiky polovodičového detektoru zpětně odražených elektronů a metody jejich měření. Experimentální část se zabývá měřením charakteristik detektoru firmy Delong Instruments a jeho porovnáním s komerčně dostupnými detektory. Bylo provedeno měření voltampérové charakteristiky a proudu za temna, závislosti zisku na urychlovacím napětí a také časové odezvy detektoru. The thesis deals with the characterization of a semiconductor detector of backscattered electrons. The theoretical part describes two types of electron microscopes, the interaction of the primary beam with the sample and individual types of electrons and radiation arising during the interaction. The most used types of electron detectors in scanning electron microscope are summarized. The basic characteristics of the semiconductor backscattered electron detector and their measurement methods are described. The experimental part deals with measuring the characteristics of the detector made by Delong Instruments and comparing it with commercially available detectors. Volt-ampere characteristic and dark current, the dependence of the gain on the accelerating voltage, as well as the time response of the detector were measured.
Klíčová slova: charakterizace detektoru; Elektronový mikroskop; polovodičový detektor; voltampérová charakteristika; zisk detektoru; zpětně odražené elektrony; časová odezva; backscattered electrons; detector characterization; detector gain; Electron microscope; semiconductor detector; time response; volt-ampere characteristic

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/210021

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-526526


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce